2.4 Методы осаждения из жидкой фазы
Несмотря на то что методы осаждения из жидкой фазы не относятся к тонкопленочным, их считают перспективными методами получения на поверхностях большой площади тонких слоев материала (толщиной несколько микрометров), предназначенных для применения в солнечных элементах.
2.4.1 Эпитаксия из жидкой фазы
В основе этого метода лежит осаждение вещества из охлаждаемого раствора на монокристаллическую подложку. Приготовленный для осаждения раствор приводят в контакт с подложкой либо путем «опрокидывания» печи с раствором, либо посредством погружения подложки в раствор, находящийся в вертикальной печи. Раствор, нагретый до необходимой температуры, насыщают предназначенным для осаждения веществом, а затем охлаждают (при контакте с подложкой) с такой скоростью и в течение" такого промежутка времени, которые требуются для получения слоя необходимой толщины. При оптимальных условиях осаждения структура растущего слоя является продолжением структуры монокристаллической подложки. На подложках, по структуре значительно отличающихся от монокристаллических, трудно выращивать даже поликристаллические слои.
Поскольку при эпитаксии из жидкой фазы осаждаемое вещество находится в растворенном состоянии, данный метод применим лишь в тех случаях, когда растворитель не оказывает неблагоприятного влияния на подложку. Получение полупроводниковых соединений III—V групп не вызывает проблем, так как растворителями могут служить вещества, входящие в состав этих соединений. При осаждении 
в качестве растворителя удобно применять вещество легирующей примеси (например, 
при получении 
Следует отметить, что методом жидкофазной эпитаксии трудно получать полупроводниковые соединения, содержащие более двух компонентов, в основном вследствие различия их коэффициентов распределения в твердой фазе. Кроме того, наличие растворителя не позволяет точно регулировать состав выращиваемых слоев.
Метод жидкофазной эпитаксии успешно используется для осаждения соединений III—V групп, пригодных по своему качеству для изготовления приборов [177]. Вопрос о возможности применения этого метода для получения поликристаллических
слоев с крупными ориентированными зернами в качестве материалов для солнечной энергетики до сих пор находится в стадии изучения
Хадини и Томасом [178] опубликовано сообщение о разработке нового интересного метода проведения жидкофазной эпитаксии с применением подложек, содержащих параллельные ряды субмикроскопических отверстий, в которых происходит зародышеобразование. На подложках из майлара и монокристаллических подложках, покрытых фоторезистом, при осаждении из жидкой (а также из паровой) фазы авторами выращены ориентированные слои триглицеринсульфата. В пленке майлара толщиной 4 мкм с помощью лазера были получены отверстия диаметром около 15 мкм, удаленные друг от друга на расстояние 100 мкм. Отверстия в слое фоторезиста создавались техникой литографии. В дальнейшем необходимо исследовать возможность применения этого несомненно интересного метода для создания солнечных элементов на основе пленок халькогенидов.
