1.3 Исследование характеристик материалов

В этом разделе мы познакомимся с различными современными экспериментальными методами изучения структуры, состава, а также электронных, оптических и оптоэлектронных свойств материалов, применяемых для изготовления солнечных элементов. Поскольку в своем большинстве эти методы являются стандартными и широко используются уже на протяжении ряда лет, Мы не будем рассматривать экспериментальные установки и приборы, а сосредоточим внимание только на том, какого рода информацию можно получить с их помощью.

1.3.1. Структурные характеристики

Значительное влияние на оптические и электронные свойства тонких пленок оказывают строение их кристаллической решетки и микроструктура. Аналогичным образом особенности структуры на границе раздела и -областей определяют электронные свойства электронно-дырочного перехода. Разработан ряд методов исследования морфологии, кристаллической структуры и дефектов в различных областях объема солнечных элементов и на границе раздела слоев, обеспечивающих очень высокую разрешающую способность, вплоть до атомных размеров, хотя это достигается за счет уменьшения общей площади или объема исследуемой области материала. В большинстве

случаев необходимую информацию о свойствах материала можно получить при использовании методов, обладающих низкой разрешающей способностью, но позволяющих изучать области большого размера, в сочетании с методами, обеспечивающими высокую разрешающую способность при изучении микрообъектов.