7.5 Фосфид цинка (Zn3P2)

Фосфид цинка относится к числу новых перспективных фотоэлектрических материалов. Его оптическая ширина запрещенной зоны равна а данные по коэффициенту поглощения света свидетельствуют о том, что относится к полупроводникам с прямыми оптическими переходами [38]. В диодах с барьером Шоттки, изготовляемых на основе пленок -типа проводимости, при создании контакта из магния высота барьера составляет 1,0... 1,4 эВ, а при использовании алюминия — 0,75 эВ. Энергия сродства к электрону равна 3,6 эВ [39]. Диффузионная длина неосновных носителей заряда [39, 40], измеренная в монокристаллических солнечных элементах с барьером Шоттки на основе составляет 5... 10 мкм, а в тонкопленочных элементах - 3...4 мкм. Анализ оптических и электронных свойств тонких пленок показывает, что они пригодны для создания фотоэлектрических преобразователей, однако обязательным условием является применение просветляющих покрытий. Одно из основных преимуществ этого материала состоит в том, что природных запасов химических элементов, из которых он состоит, достаточно для обеспечения крупномасштабного производства солнечных элементов.

Тонкие пленки, получаемые посредством испарения из графитовых тиглей массивных образцов [39], при температуре источника и температуре подложки 140 ...200 °С обладают проводимостью -типа; подвижность дырок

в них составляет При отжиге удельное сопротивление пленок может изменяться в пределах Пленки образуют омический контакт с железом, которое согласуется с по параметрам кристаллических решеток и коэффициентам теплового расширения и поэтому может быть выбрано в качестве материала подложки. КПД тонкопленочных солнечных элементов с барьером Шоттки на основе при интенсивности излучения равен 2,5%, и ему отвечают