2.2.3.6 Реактивное ионное распыление

Благодаря высокой химической активности ионов и возбужденных атомов, которые легко создавать в плазме тлеющего разряда при постоянном токе или высокочастотном разряде, можно получать тонкие пленки карбидов, нитридов, оксидов, гидридов, сульфидов, арсенидов и фосфидов. С этой целью в плазму инертного газа вводят реакционноспособный газ. В зависимости от давления и химической активности взаимодействующих частиц, свойств подложки и температурных условий химическая реакция происходит на катоде, в плазме или у анода. Состав пленок, получаемых этим методом, зависит от особенностей кинетики плазмы и термодинамических параметров протекающих процессов. Среди основных приложений этого метода — получение оксидных пленок с регулируемым составом для солнечных элементов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник и полупроводник — диэлектрик — полупроводник, а также для просветляющих покрытий. В настоящее время достаточно хорошо освоено применение реактивного распыления для плазменного или «сухого» травления (селективного и неселективного характера) целого ряда металлических и неметаллических поверхностей [4] путем введения в плазму соответствующих галогеноуглеродов, вступающих в реакцию с подложкой, в результате которой образуются галогениды с высоким давлением паров. Таким способом можно получать тонкие пленки с намеченным контактным рисунком при создании контактной сетки на поверхности солнечных элементов.