Главная > Тонкопленочные солнечные элементы
НАПИШУ ВСЁ ЧТО ЗАДАЛИ
СЕКРЕТНЫЙ БОТ В ТЕЛЕГЕ
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
241
242
243
244
245
246
247
248
249
250
251
252
253
254
255
256
257
258
259
260
261
262
263
264
265
266
267
268
269
270
271
272
273
274
275
276
277
278
279
280
281
282
283
284
285
286
287
288
289
290
291
292
293
294
295
296
297
298
299
300
301
302
303
304
305
306
307
308
309
310
311
312
313
314
315
316
317
318
319
320
321
322
323
324
325
326
327
328
329
330
331
332
333
334
335
336
337
338
339
340
341
342
343
344
345
346
347
348
349
350
351
352
353
354
355
356
357
358
359
360
361
362
363
364
365
366
367
368
369
370
371
372
373
374
375
376
377
378
379
380
381
382
383
384
385
386
387
388
389
390
391
392
393
394
395
396
397
398
399
400
401
402
403
404
405
406
407
408
409
410
411
412
413
414
415
416
417
418
419
420
421
422
423
424
425
426
427
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO

4.2.2 Элементы, получаемые вакуумным испарением

Процесс изготовления высокоэффективных солнечных элементов [8], у которых слой получают с помощью вакуумного испарения, а слой посредством окунания, состоит из следующих технологических операций. На поверхность гибкой подложки из медной фольги толщиной около 35 мкм методом

электролитического осаждения наносят пленку цинка толщиной около 80 нм, причем для осаждения выбирают ту сторону подложки, которая обладает наиболее грубым поверхностным рельефом (с размером неровностей 8. ..10 мкм). Пленка служит омическим контактом к создаваемому затем слою а также препятствует взаимодействию вещества подложки с молекулами приводящему к образованию в процессе испарения Помимо этого в результате взаимной диффузии при осаждении формируется высокоотражающий слой латуни с низким содержанием цинка. На медную подложку с пленкой нагреваемую излучением примерно до наносят слой -типа толщиной 30 мкм с ориентированной столбчатой структурой (ось с перпендикулярна плоскости подложки) и удельным сопротивлением . Графитовый испаритель, имеющий форму баллона и заполненный порошкообразным сульфидом кадмия (см. разд. 2.2.1.4), поддерживается при температуре около 1000 °С. Скорость осаждения равна 1...2 мкм/мин. Размер зерен в поликристаллическом слое составляет Затем при окунании образца в раствор, содержащий ионы меди, в котором на приходятся в результате реакции замещения, протекающей при на поверхности образуется пленка толщиной 30 нм. Перед Окунанием поверхность слоя подвергают химическому травлению в -ном растворе при температуре в течение 2 с, в результате чего поверхность становится текстурированной, с равномерно распределенными выступами пирамидальной формы, наличие которых способствует дополнительному поглощению света. Последующая термообработка образцов со структурой в восстановительной атмосфере, обычно осуществляемая в присутствии при температуре 170 °С в течение 16 ч, необходима для улучшения стехиометрии дальнейшего роста слоя латуни на границе раздела ослабляющего поглощение света подложкой, и возникновения электрического поля электронно-дырочного перехода в слое Затем на поверхность посредством вакуумного испарения золота наносится контактная сетка толщиной 2...4 мкм с плотностью полос пропускающая к поверхности элемента падающего излучения. Заключительной технологической операцией является осаждение на рабочую поверхность прибора методом вакуумного испарения просветляющего покрытия из толщиной 70 нм. Благодаря этому покрытию и влиянию поверхностного рельефа пленки и медной подложки, а также вследствие низкой степени затенения освещаемой поверхности

контактной сеткой данная структура обладает высокими оптическими характеристиками и обеспечивает прохождение в элемент около солнечного излучения.

Седон и др. [13] использовали по существу аналогичный способ изготовления элементов с тем лишь отличием, что медная контактная сетка с электролитически осажденным слоем золота Соединялась с поверхностью слоя посредством механической прокатки и небольшого вдавливания, а термообработка представляла собой двухминутный прогрев образца в сушильной печи при температуре в циркулирующем потоке воздуха. Арндт и др. с помощью такого же метода формирования перехода получили (на стеклянных подложках с покрытием из стабильные тонкопленочные солнечные элементы на основе большой площади которых в условиях составил Контактная сетка создавалась непосредственно на стеклянной пластине, которая на заключительном этапе изготовления элемента крепилась методом прокатки к слою и служила герметизирующим покрытием. Обработка образцов после формирования перехода состояла в нанесении на поверхность вакуумным испарением тонкого слоя (толщиной 5...10 нм) или в выдержке их в тлеющем разряде, возбуждаемом в водороде, с последующей термообработкой в течение нескольких минут на воздухе или в кислородсодержащей атмосфере при температуре около 220 °С. Бхат и др. [18], а также Банерджи и др. [19] установили, что для улучшения характеристик элементов на основе получаемых с использованием химической реакции замещения в твердой фазе, необходима термообработка при температуре около продолжительностью 5 мин в условиях вакуума при давлении —13 Па.

Процесс изготовления солнечных элементов со структурой [7] не отличается от рассмотренного ранее, за исключением того, что методом вакуумного испарения с применением графитового источника, состоящего из двух коаксиально расположенных испарителей, вместо осаждают (см. разд. 2.2.1.4). Средний размер зерен в пленках при составляет Тонкопленочные элементы

на основе с просветляющим покрытием из толщиной 70 нм после термообработки в струе водорода при температуре 170°С имеют КПД 10%. В том случае, когда пленки получают с помощью одного испарителя [19, 40], солнечные элементы обладают более низким КПД.

1
Оглавление
email@scask.ru