3.2.8 Селенид меди (Cu2Se)

Поскольку интерес к тонким пленкам как к материалу для изготовления солнечных элементов усилился лишь в последние годы, количество публикаций по данному вопросу очень ограничено. Тонкие пленки получают преимущественно вакуумным испарением [172—174]. существует в нескольких кристаллографических модификациях, и свойства пленок в значительной степени определяются их составом, который в свою очередь зависит от условий осаждения.

3.2.8.1 Структурные свойства

В процессе вакуумной термообработки пленок при температуре ниже 350 °С Шафизаде и др. [173] наблюдали последовательность фазовых переходов

Параметр а кубической гранецентрированной решетки меняется в интервале соответствующем вариациям состава от до . В диапазоне составов от до существует упорядоченная низкотемпературная фаза селенида меди. При температуре выше распадается на две фазы с и 0,565 нм. При охлаждении селенида меди до комнатной температуры

образуется и одновременно существует две фазы — низкотемпературная модификация и модификация, имеющая кубическую гранецентрированную решетку с которой отвечает фаза селенида меди, близкая по составу к Параметры элементарной ячейки эпитаксиальных пленок [172] низкотемпературной модификации выращиваемых на монокристаллах при температурах 200 и 400 °С, выраженные через параметры гексагональной решетки а и с, равны соответственно Балдхаупт и др. [174] сообщали о получении тонких пленок содержащих только гексагональную фазу, при температуре подложки 150...275 °С. Отмечается, что при более высоких температурах подложки состав пленок в меньшей степени зависит от скорости осаждения она превышает некоторое пороговое значение). Согласно измерениям, размер зерен в пленках составляет

3.2.8.2 Электрические свойства

Измерения эффекта Холла и удельного сопротивления показывают, что пленки обладают проводимостью -типа и в пленках, имеющих состав подвижность дырок равна а их концентрация [174].

3.2.8.3 Оптические свойства

По характеру спектральной зависимости коэффициента поглощения [174] можно заключить, что поглощение света в пленках сопровождается как непрямыми оптическими переходами (соответствующее значение ширины запрещенной зоны 1,4 эВ), так и прямыми переходами (ширина запрещенной зоны — 2,2 эВ).