Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше
Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике
Оксид меди, имеющий «прямую» запрещенную зону шириной 1,95 эВ, вполне подходит для преобразования солнечного излучения. Элементы на основе обладают невысокой эффективностью, однако интерес к исследованию этого материала обусловлен чрезвычайно низкой стоимостью процесса его получения. Соответствующим образом ориентированные пленки могут быть выращены посредством нагрева медной подложки на воздухе при температуре 1050°С. При этом на границе раздела образуется барьер Шоттки [59]. Изготовление тыльно-барьерного солнечного элемента (с барьером Шоттки) на основе завершается созданием омического контакта к пленке Для получения фронтально-барьерного элемента поверхностный слой пленки восстанавливают, в результате чего образуется переход Структура с барьером Шоттки образуется также и при нанесении на поверхность пленки слоя металла.
Олсен и Бохара [59] создавали тыльно-барьерные элементы на основе помещая на несколько минут в печь с температурой 1050°С очищенную медную подложку (для получения пленки а затем резко охлаждая оксидированную пластину с помощью дистиллированной воды. Слой образующийся в процессе закалки, удалялся посредством травления в -ном растворе Образцы промывались, и для создания омического контакта на поверхность из паровой фазы осаждались медь или никель.
Фронтально-барьерные элементы представляют собой по существу приборы со структурной металл — диэлектрик — полупроводник.
Диодный коэффициент, найденный из вольт-амперных характеристик, оказывается величиной более двух. Значения диффузионного потенциала определяемые по результатам измерений вольт-фарадных характеристик, с достаточной степенью точности совпадают с расчетными значениями для модели элемента со структурой металл — диэлектрик — полупроводник. Измерения вольт-амперных характеристик и фотоотклика показывают, что значения высоты барьера заключены в пределах У элементов со слоем толщиной коэффициент собирания носителей при длине волны равен 0,25 и 0,65 соответственно. Основываясь на результатах расчета, Олсен и Бохара [59] приходят к выводу о том, что при оптимальной толщине слоя диэлектрика и малом последовательном сопротивлении элементов их КПД может превысить 10%. В настоящее время лучшие элементы на основе при интенсивности излучения имеют
обладают невысокой эффективностью, однако интерес к исследованию этого материала обусловлен чрезвычайно низкой стоимостью процесса его получения. Соответствующим образом ориентированные пленки 
могут быть выращены посредством нагрева медной подложки на воздухе при температуре 1050°С. При этом на границе раздела 
образуется барьер Шоттки [59]. Изготовление тыльно-барьерного солнечного элемента (с барьером Шоттки) на основе 
завершается созданием омического контакта к пленке 
Для получения фронтально-барьерного элемента поверхностный слой пленки 
восстанавливают, в результате чего образуется переход 
Структура с барьером Шоттки образуется также и при нанесении на поверхность пленки 
слоя металла.
помещая на несколько минут в печь с температурой 1050°С очищенную медную подложку (для получения пленки 
а затем резко охлаждая оксидированную пластину с помощью дистиллированной воды. Слой 
образующийся в процессе закалки, удалялся посредством травления в 
-ном растворе 
Образцы промывались, и для создания омического контакта на поверхность 
из паровой фазы осаждались медь или никель.
определяемые по результатам измерений вольт-фарадных характеристик, с достаточной степенью точности совпадают с расчетными значениями 
для модели элемента со структурой металл — диэлектрик — полупроводник. Измерения вольт-амперных характеристик и фотоотклика показывают, что значения высоты барьера заключены в пределах 
У элементов со слоем 
толщиной 
коэффициент собирания носителей при длине волны 
равен 0,25 и 0,65 соответственно. Основываясь на результатах расчета, Олсен и Бохара [59] приходят к выводу о том, что при оптимальной толщине слоя диэлектрика и малом последовательном сопротивлении элементов их КПД может превысить 10%. В настоящее время лучшие элементы на основе 
при интенсивности излучения 
имеют 
