Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше
Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике
2.2.7. Модификации структуры солнечного элемента с гомогенным переходом
Изотипный переход. Создание сильно легированного -слоя на границе с квазинейтральной областью -типа (формирование -структуры) несомненно, является первым усовершенствованием, направленным на изменение свойств поверхности раздела контакт—квазинейтральная область и уменьшение эффективной скорости поверхностной рекомбинации. При наличии в солнечных элементах -слоя изменение напряжения холостого хода оказывается более существенным по сравнению с тем, которое было бы возможно лишь за счет уменьшения S. Этот вопрос будет рассмотрен в
Элементы с -структурой. Структура представляет собой последовательность слоев одного и того же полупроводникового материала, обладающих проводимостью -типа, собственной проводимостью и проводимостью -типа. При создании такой структуры ширина обедненного слоя увеличивается в соответствии с соотношением
где - ширина слоя собственного полупроводника; — ширина обедненного слоя при отсутствии области -типа. При справедливы уравнение либо Шокли (2.13) (при незначительной рекомбинации носителей внутри обедненного слоя шириной ), либо (2.27) для рекомбинационно-генерационного тока в диоде. При описание процесса переноса носителей заряда значительно усложняется [Rose, 1965]. К приборам с -структурой относятся кремниевые солнечные элементы, предназначенные для работы в условиях концентрированного излучения (в этом случае важное значение имеет возможность получения большой диффузионной длины носителей заряда в нелегированном материале), а также элементы на основе аморфного кремния.
-слоя на границе с квазинейтральной областью 
-типа (формирование 
-структуры) 
несомненно, является первым усовершенствованием, направленным на изменение свойств поверхности раздела контакт—квазинейтральная область и уменьшение эффективной скорости поверхностной рекомбинации. При наличии в солнечных элементах 
-слоя изменение напряжения холостого хода 
оказывается более существенным по сравнению с тем, которое было бы возможно лишь за счет уменьшения S. Этот вопрос будет рассмотрен в 
-структурой. Структура 
представляет собой последовательность слоев одного и того же полупроводникового материала, обладающих проводимостью 
-типа, собственной проводимостью и проводимостью 
-типа. При создании такой структуры ширина обедненного слоя увеличивается в соответствии с соотношением
- ширина слоя собственного полупроводника; 
— ширина обедненного слоя при отсутствии области 
-типа. При 
справедливы уравнение либо Шокли (2.13) (при незначительной рекомбинации носителей внутри обедненного слоя шириной 
), либо (2.27) для рекомбинационно-генерационного тока в диоде. При 
описание процесса переноса носителей заряда значительно усложняется [Rose, 1965]. К приборам с 
-структурой относятся кремниевые солнечные элементы, предназначенные для работы в условиях концентрированного излучения (в этом случае важное значение имеет возможность получения большой диффузионной длины носителей заряда в нелегированном материале), а также элементы на основе аморфного кремния.
