и 
. Анализ этого вопроса затруднен из-за нелинейности уравнений и отсутствия конкретных данных о свойствах материала в обедненном слое.
Рассмотрение изменения 
при вариациях приложенного напряжения как возмущения по отношению к характеристикам идеального элемента позволяет прогнозировать особенности процесса переноса фотогенерированных носителей заряда, не прибегая к решению уравнения переноса в обедненном слое в неравновесных условиях. Поскольку этот метод анализа основан на линейной суперпозиции темнового тока и фототока в обедненном слое, он является приближенным. Во многих случаях его применение возможно при простом учете возмущений, относящихся ко всем составляющим и множителям в выражении для коэффициента собирания и возникающих при вариациях напряжения смещения и длины волны света.
не зависит от приложенного напряжения смещения. Однако во многих реальных элементах, и в особенности в гетеропереходах с несогласованными параметрами кристаллических решеток, 
уменьшается при прямом смещении, что приводит к снижению 
