2.5.3. Прямая рекомбинация носителей заряда через состояния на границе раздела, определяемая высотой барьера Шоттки

Прямая рекомбинация носителей заряда через состояния на границе раздела является важным механизмом их переноса во многих видах гетеропереходов, однако степень его преобладания над другими механизмами меняется от модели к модели. Гетеропереходы -типа [Dolega, 1963] и изотипные переходы [Oldham, Milnes, 1964] рассматривают как два расположенных вплотную диода с барьером Шоттки, которые соединены слоем, обладающим свойствами, близкими к металлическим, благодаря содержащимся в нем энергетическим состояниям, характеризуемым очень высокой скоростью рекомбинации (см. рис. 2.23,б и в). Согласно данной модели вольт-амперную характеристику можно описать уравнением (2.41) со значением зависящим от отношения ). Однако, поскольку в этой модели предполагается, что ток обусловлен термозмиссией носителей заряда, преодолевающих потенциальный барьер, она не может объяснить отсутствие температурной зависимости кривой свойственное многим гетеропереходам.