5.2.5. Солнечные элементы на основе GaAs для космических энергетических установок

Солнечные элементы из арсенида галлия перспективны для применения в космосе, где определяющими характеристиками становятся отношение мощности, вырабатываемой элементом, к его весу и радиационная стойкость. К 1980 г. одни группы элементов изучали в условиях, приближенных к космической радиационной обстановке, а другие прошли испытания непосредственно в космосе. Оказалось, что солнечные элементы из арсенида галлия более радиационно стойкие, чем кремниевые, хотя степень их радиационной стойкости в большей мере зависела от условий изготовления, чем в случае Si [Loo е. а., 1978]. Снижение КПД в арсенид-галлиевых элементах под воздействием радиации соответствует

выводам, полученным при моделировании аналогичных процессов в Si [см (7.7)].

Существует ряд методов для минимизации или снижения последствий радиационных повреждений. Отжиг после радиационного воздействия (например, при температуре 200° С в течение 30 ч) приводит к восстановлению большей части потерянной эффективности [Walker, Conway, 1978]. В фотопреобразователях с переменной шириной запрещенной зоны за счет тянущих полей слабее ощущается снижение под влиянием такого воздействия. Детальный анализ структур с двумя ширинами запрещенной зоны указал на существенное возрастание радиационной стойкости подобных структур [Hutchby, 1978]. Этот вывод в особенности важен для фотопреобразователей, содержащих слой , поскольку создание переменной ширины запрещенной зоны легко осуществимо в процессе выращивания методами жидкофазной эпитаксии или химического осаждения из паровой фазы.