2.6.5. Структуры полупроводник—диэлектрик—полупроводник
Наблюдаемые в реальных структурах с гетеропереходом большие значения 
при ограниченных 
по-видимому, вызваны теми же причинами, что и в приборах с барьером Шоттки. Основанием для этого предположения служит то, что структуры с барьером Шоттки представляют
собой предельный случай широкого класса приборов с гетеропереходом (ср. 2.5.2). Таким образом, мы приходим к мысли о возможности создания на границе раздела гетероперехода тонкого диэлектрического слоя.
Фотоэлектрические свойства ПДП-структур были исследованы теоретически [De Visschere, Pauwels, 1978]. Ввиду сложности проблемы необходимы ограничивающие предположения, однако, даже если их принять, можно рассмотреть лишь отдельные частные случаи. Авторами показано, что если собирание фотогенерированных носителей происходит в наиболее сильно легированном полупроводнике, то введение диэлектрического слоя неэффективно. Если же носители заряда собираются в слабо легированном полупроводнике, то диэлектрический слой должен обеспечить положительный эффект при соответствующем знаке разрыва энергетических зон (в противном случае этот слой не играет никакой роли).
Приведенные выводы свидетельствуют о том, что слой диэлектрика должен отрицательно влиять на характеристики солнечных элементов на основе 
однако в системах электропроводящий оксид металла — поглощающий слой полупроводника в зависимости от состояния границы раздела диэлектрик может оказывать благоприятное воздействие.
Многие реальные гетеропереходы в действительности представляют собой ПДП-структуры, поскольку в процессе их изготовления образуется промежуточный диэлектрический слой естественного оксида. Для описания характеристик систему 
, в которой согласно экспериментальным данным присутствуеттонкий промежуточный слой диэлектрика, предложена модель ПДП-структуры [Shewchun е. а., 1978].
С этой целью была обобщена ранее разработанная теория МДП-струк-тур [Green е. а., 1974], что позволило использовать ее для анализа ПДП-структуры, в которой один из полупроводников представляет собой вырожденный широкозонный оксид. Аналогичное рассмотрение [Ghosh е. а., 1978] выполнено для солнечных элементов на основе 
