4.3.4. Другие способы легирования

Эффективный способ получения легированного слоя — просто его наращивание на поверхности базовой пластины путем химического осаждения из паровой фазы, т. е. введением примеси, изменяя парциальное давление легирующего газа в проточной системе. При этом необходимо принимать во внимание значение коэффициента прилипания атомов легирующей примеси и учитывать эффекты взаимодиффузии [Runyan, 1965].

Облучением потоком нейтронов кремний можно превратить в фосфор; нейтронное трансмутационное легирование было применено для получения высокой степени однородности легирования и больших диффузионных длин в поликристаллическом кремнии [Westbrook, Polgreen, 1976; Hoffman, 1981]. Это очень важный результат, поскольку в поликристаллических материалах механизм диффузии по границам зерен доминирует над диффузией в объеме зерна.

Для получения тонких легированных областей в солнечных элементах применяют метод имплантации пучком ионов примеси с энергиями [Varma, Swerdling, 1976]. Глубина легирования определяется энергией ионного пучка (например, при энергии средняя глубина легирования около 50 нм). Ионной имплантации всегда сопутствуют значительные нарушения, поэтому необходим отжиг образцов в процессе

или после ионной имплантации. Несмотря на относительно низкие значения обусловленные остаточными нарушениями, значения высоки, и получены солнечные элементы, у которых при условии освещения АМО [Kirkpatrick е. а., 1976]. В случае этих элементов для отжига дефектов, а также для обеспечения сплавления и спекания контактов на лицевой и тыльной поверхностях применяли нагрев с помощью импульсного электронного пучка. Перспективным способом устранения имплантационных повреждений является также лазерный отжиг.

Для солнечных элементов на основе МДП-структуры представляет интерес эффект обмена примесями с растущим слоем оксида. Если, как часто бывает, коэффициент сегрегации примеси в оксиде меньше, чем в кремнии, то имеет место накопление примесных атомов на границе раздела.