2.3.3. Справедливость модели резкого перехода

Модель Андерсона основана на предположении о наличии идеального резкого металлургического перехода, однако в большинстве случаев переходы формируют при довольно высоких температурах, когда возможна взаимная диффузия компонентов полупроводниковых материалов и образование твердых растворов. Установлено [Oldham, Milnes, 1963; Cheung е. а., 1975], что уже при ширине области переменного состава около 10 нм пик в зоне проводимости сглаживается и понижается настолько, что не препятствует протеканию тока.

Рис. 2.16. Форма края зоны проводимости в гетеропереходе при различней ширине области переменного состава: нм; сплошные линии соответствуют упрощенной модели, точки - обобщенной модели перехода с варизонной структурой, для которой значения больше обычных [Cheung D., Ph. D. California, Stanford. Thesis, 1975]

Результаты расчета зонной диаграммы приведены на рис. 2.16. Процессы фотогенерации и переноса носителей заряда в тонких гетеропереходах рассмотрены Хинкли и другими [Hinkley, Rediker, 1967; Womac, Rediker, 1972]. Изучалось также [Van Ruyven, 1972] влияние нарушения периодичности потенциала при наличии узких областей (шириной 0,5-5 нм) резкого изменения ширины запрещенной зоны на волновую функцию электрона.