2.5.2. Рекомбинация и генерация носителей в обедненном слое

В типичных солнечных элементах с гетеропереходом рекомбинационно-генерационный процесс, по-видимому, преобладает в обедненном слое узкозонного полупроводника из-за наличия высокого потенциального барьера, препятствующего инжекции неосновных носителей заряда в широкозонный материал. Для структуры, изображенной на рис. 2.23, а,

Рис. 2.23. Рекомбинационно-генерационный процесс в обедненном слое гетероперехода при отсутствии освещения и прямом напряжении смещения (а); модель Долега, описывающая протекание тока в структурах с анизотипным (б) и изотипным (в) гетеропереходами; процессы протекания тока, ограниченные рекомбинацией носителей на границе раздела в гетеропереходе и в структуре, соответствующей наиболее общему случаю (д)

расчетная вольт-амперная характеристика будет аналогична характеристике, приведенной в 2.2.4, при условии, что область наиболее интенсивной рекомбинации находится внутри обедненного слоя узкозонного материала. Рекомбинационные токи в -гетеропереходе рассмотрены Смитом [Smith, 1977].