2.5.4. Протекание тока, обусловленное рекомбинацией носителей заряда на границе раздела
Модель [Rothwarf, 1975], использованная для описания переноса носителей в тонкопленочном гетеропереходе 
в условиях умеренно высокого уровня инжекции, в некоторой степени аналогична модели Долега, за исключением того, что механизмом, ограничивающим протекание тока, является не термоэлектронная эмиссия с характерным параметром — тепловой скоростью носителей заряда, а рекомбинация на границе раздела, характеризуемая скоростью
В структуре, изображенной на рис. 2.23 ,г, 
представляет собой вырожденный полупроводник, и поэтому падение почти всего диффузионного потенциала происходит в 
. Вольт-амперную характеристику данной структуры можно представить с помощью уравнения
Отметим, что согласно этой модели диодный коэффициент 
(такое значение наблюдается в эксперименте при умеренных и высоких напряжениях смещения в освещенных приборах).
В общем случае модель гетероперехода аналогична показанной на рис. 2.11 (учитывающей рекомбинацию носителей на границе раздела).
В этом случае значения А могут превышать единицу, а также допустимы изменения А при различных напряжениях смещения.
