Главная > Материалы квантовой электроники
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

2.3.6. Распределение примеси в процессе роста кристалла

Распределение активной примеси в кристалле, так же как и однородность кристалла, зависит главным образом от процессов массолереноса в исходной среде (см. § 2.3.4). Обычно распределение примеси между фазами характеризуют либо коэффициентом распределения на поверхности раздела фаз

либо эффективным коэффициентом распределения

где Со — концентрация примеси в среде за пограничным диффузионным слоем. Соотношение между этими коэффициентами выражается равенством

где — линейная скорость роста грани (скорость продвижения поверхности раздела); — толщина пограничного диффузионного слоя; — коэффициент диффузии примеси в исходной среде (жидкости).

Выражение (2.63) дает важнейшую информацию о распределении примеси в кристалле в процессе роста (сокристаллизации) в зависимости от свойств примеси и среды.

Отсюда распределение примеси в растущем кристалле выражается уравнением

где — доля выкристаллизовавшегося вещества среды.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление