дырки. Ширина запрещенной зоны в сильно легированной 
-области меньше, о чем свидетельствуют также и данные по поглощению.
Наконец, время рекомбинации неосновных носителей обратно пропорционально концентрации основных носителей. Поэтому инжектированные в 
-область электроны будут очень быстро рекомбинировать.
Рис. 7.12. Пространственные характеристики излучения инжекционного ПКГ в горизонтальной (а) и вертикальной (б) плоскостях.
Отсюда следует, что свет должен излучаться из компенсированной 
-области, непосредственно прилегающей к границе перехода. Поскольку активная область имеет пластиноподобную форму, то для направленности излучения диода согласно выражению (7.39) существенны два размера: в плоскости 
перехода — ширина диода, и в вертикальной плоскости, перпендикулярной 
переходу, — толщина активной области. Подстановка в выражение (7.39) величин к и 
обычно используемых на практике, дает значение углов 1° в плоскости перехода и около 10° в вертикальной плоскости (рис. 7.12).
— ширина излучающей области в плоскости, в которой измеряется угол 
Из-за малых размеров диода ПКГ величина 0 для них оказывается больше, чем для ОКГ другого типа. Кроме того, поскольку диффузионный 
переход оптически неоднороден, так как концентрация примесей в нем изменяется по глубине, то коэффициенты поглощения и преломления в активном слое непостоянны и излучение в 
переходе распределено неоднородно. Инжекция электронов в 
-область более вероятна, чем инжекция дырок в 
-область, поскольку электроны обладают более высокой подвижностью, чем