дырки. Ширина запрещенной зоны в сильно легированной
-области меньше, о чем свидетельствуют также и данные по поглощению.
Наконец, время рекомбинации неосновных носителей обратно пропорционально концентрации основных носителей. Поэтому инжектированные в
-область электроны будут очень быстро рекомбинировать.
Рис. 7.12. Пространственные характеристики излучения инжекционного ПКГ в горизонтальной (а) и вертикальной (б) плоскостях.
Отсюда следует, что свет должен излучаться из компенсированной
-области, непосредственно прилегающей к границе перехода. Поскольку активная область имеет пластиноподобную форму, то для направленности излучения диода согласно выражению (7.39) существенны два размера: в плоскости
перехода — ширина диода, и в вертикальной плоскости, перпендикулярной
переходу, — толщина активной области. Подстановка в выражение (7.39) величин к и
обычно используемых на практике, дает значение углов 1° в плоскости перехода и около 10° в вертикальной плоскости (рис. 7.12).