Пред.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
2.3.4. Рост кристалловРост зародыша новой фазы (кристалла) происходит либо путем присоединения к его поверхности отдельных атомов, лнбо путем упорядоченного встраивания их комплексов. Впервые Гиббс ввел понятие о послойном росте кристалла. Он показал, что рост совершенного кристалла должен происходить путем возникновения двумерных зародышей на поверхности кристалла и роста этого мононуклеарного двумерного слоя с образованием кристаллической грани. Энергетически это обеспечивается критическим пересыщением, ниже которого кристалл расти не может. Однако Фольмер обнаружил ряд систем, в которых рост кристаллов происходил при пересыщениях ниже критического, что противоречило теории Гиббса. Фольмер предположил, что непосредственно около поверхности кристалла существует подвижный адсорбционный слой частиц, находящийся в термодинамическом равновесии с поверхностью кристалла и окружающей средой. При неровной поверхности рост кристалла может происходить и путем присоединения отдельных атомов без образования критических поверхностных зародышей. Для описания перехода атома из окружающей среды к поверхности кристалла согласно Фольмеру необходимо учитывать диффузионные характеристики в общем кинетическом уравнении, которое имеет вид (2.34). Скорость роста кристалла определяется скоростью перехода атомов из адсорбционного слоя в кристаллическую решетку. Миграция атомов по поверхности, что Фольмеру удалось доказать экспериментально. приводит к образованию двумерных зародышей и разрастанию их до завершения нового кристаллического слоя. Предполагается, что рост двумерного зародыша происходит достаточно быстро, поэтому рост кристалла лимитируется процессом зародышеобразования. Образование двумерного зародыша описывается уравнением, аналогичным рассмотренным в § 2.3.2 и 2.3.3 для объемного (трехмерного) зародыша. Работа образования двумерного зародыша равна
где Тогда энергия активации образования двумерного зародыша критического размера составит
а критический размер двумерного зародыша
Линейная скорость роста кристалла, т. е. скорость движения границу кристалла перпендикулярно самой себе, равна
где Поэтому скорость роста больших монокристаллов, поверхность граней которых практически постоянна, зависит только от пересыщения, а скорость роста малых кристаллов быстро меняется вследствие увеличения поверхности граней. Основываясь на термодинамической теории Гиббса — Фольмера, Коссель, а затем Странский и Каишев рассмотрели молекулярно-кинетический механизм встраивания частиц в кристаллическую решетку.
Рис. 2.5. Варианты встраивания частиц на поверхности кристалла. Пусть совершенный кристалл находится в слабопересмщенной среде в состоянии, близком к равновесию. Взаимодействие частиц с поверхностью кристалла осуществляется посредством либо кулоновых 1) при закреплении частицы на гладкой грани кристалла действуют только вертикальные составляющие энергии прнсоеднения 2) образовании нового ряда, расположенного вплотную с уже завершенным рядом, действуют краевые силы завершенного ряда и исходной грани с выделением энергии 3) при образовании нового ряда 4) при встраивании частицы в достраивающийся ряд выделяется энергия Начало застраивания новой плоскости также может произойти с различных мест (рис. 2.5): а) с гладкой поверхности б) с края плоскости в) с угла Вероятность присоединения частицы к кристаллу пропорциональна выделяющейся энергии присоединения в этом месте. Поскольку для начала застраивания в ионном кристалле В случае ковалентных кристаллов действующие силы (ван-дер-ваальсовы силы) слабы и быстро уменьшаются с расстоянием. Энергия присоединения частицы к кристаллу распределяется по числу ближайших соседних частиц (атомов) в вертикальном направлении. Например, при присоединении частиц к гладкой поверхности Молекулярно-кинетическая, теория дает возможность не только количественно оценить механизм роста кристалла, но и предсказать его морфологию. Согласно упомянутым теориям рост совершеннного. кристалла может происходить только при больших пересыщениях. Однако реальные кристаллы растут при пересыщениях, меиыинх критических, и быстрее совершенных. Франк объяснил этот факт наличием на гранях реальных кристаллов ненечезающих ступеней роста, начинающихся на выходе винтовых дислокаций. По мере роста дислокация закручивается в спираль, образуя последовательные витки ступеней. На поверхности кристаллов образуются пирамиды роста: Так как вероятность присоединения частиц к ступеням дислокационного роста одинакова во всех местах, то фронт роста будет продвигаться поступательно с одинаковой скоростью:
где
в (2.47) получим
Коэффициент Кл необходимо учитывать вследствие взаимодействия дислокаций роста. Плотность дислокаций в кристаллах составляет до Дислокационный рост кристалла состоит из трех последовательных процессов: маесообмен между исходной средой и адсорбционными слоями; диффузия адсорбированных частиц к ступеням роста и обмен между ступенью и адсорбционным слоем; диффузия адсорбированных частиц на самих ступенях и обмен с изломами. Следует упомянуть еще об одном механизме роста кристаллов, известном под названием нормальный рост кристаллов. Он характерен для роста кристаллов из чистых слабоперсохлажденных жидких фаз (особенно металлов и неполярных веществ). Скорость процесса взаимодействия фаз при малом отклонении от состояния равновесия пропорциональна градиенту химического потенциала:
где Таким образом, рост кристаллов может осуществляться тремя различными механизмами: 1) путем образования двумерных зародышей и их разрастания; 2) путем дислокационного роста граней, т. е. присоединением частиц к неисчезающим ступеням, образованным выходом винтовых дислокаций; 3) путем нормального послойного роста, т. е. путем беспорядочного присоединения частиц к поверхности раздела; при этом фронг кристаллизации перемещается однородно, нормально плоскости кристалла. Каждый механизм характеризуется своей функциональной зависимостью скорости роста
при дислокационном механизме роста (2.48) — вид
а в случае нормального роста (2.49) — вид
Величины Предполагается также, что нормальный рост возможен при значительно меньших переохлаждениях, чем дислокационный. Наибольшее переохлаждение требуется при реализации механизма образования и роста двумерных зародышей. При очень больших переохлаждениях рост кристалла может идти не только за счет двумерного зарождения на поверхности раздела фаз, по и путем присоединения уже имеющихся в среде трехмерных частиц. С увеличением пересыщения вклад этого механизма должен возрастать. Качество кристалла при этом резко ухудшается, так как ориентация трехмерных частиц не будет строго совпадать, и поэтому образуется поликристалличеокий блочный материал. Помимо рассмотренных трех основных механизмов роста кристаллов возможны несколько режимов, определяемых гидродинамическими условиями процесса. Гидродинамика массообмспа растущего кристалла с окружающей средой илрает очень важную роль в процессе роста. Движущей силой в процессе роста кристалла является градиент химического потенциала между поверхностью кристалла и окружающей средой, возникающий вследствие пересыщения или переохлаждения слоя среды, непосредственно контактирующего с кристаллом. Стремясь возвратиться В применяемых в настоящее время методах выращивания кристаллов возможны три типа гидродинамических режимов: 1) режим молекулярной диффузии; 2) режим естественной конвекции; 3) вынужденный гидродинамический режим (или режим «вынужденной конвекции»). Молекулярная диффузия лимитирует процесс при кристаллизации из неподвижной вязкой среды с малым пересыщением. Скорость такого процесса согласно первому закону Фика равна
или при постоянной поверхности раздела фаз (сечение диффузионного потока)
где Р — коэффициент массообмена. Поскольку в ходе процесса толщина диффузионного слоя возрастает, а градиент концентрации уменьшается, то скорость роста кристалла в режиме молекулярной диффузия уменьшается со временем. Так как условия диффузии к вершинам и ребрам кристалла лучше, чем к плоским граням, то помимо градиента концентрации по нормали возникает градиент концентрации вдоль поверхности грани. Вследствие этого происходит преимущественный дендритный рост у вершины кристалла и поликрпсталлические или слоистые отложения с включениями раствора у середины граней. Только при сохранении очень малых пересыщений можно устранить эти эффекты и получить сравнительно качественный кристалл. Это частично достигается в режиме естественной конвекции. Естественная конвекция вызывается градиентом плотности маловязкой среды вблизи кристалла и в объеме расплава. Градиент плотности возникает либо за счет температурного градиента в результате выделения или отвода тепла, либо за счет концентрационного градиента в результате кристаллизации. Конвекционный поток обеспечивает замену истощенной среды в пограничном слое и помогает сохранять меньшую степень пересыщения и меньшую толщину диффузионного слоя, чем в чисто диффузионном процессе. При этом выравниваются и градиенты концентраций вдоль поверхности грани. Это увеличивает скорость роста кристалла и позволяет получать более однородные и более качественные кристаллы при больших пересыщениях, чем в режиме диффузии. Скорость процесса, контролируемого конвекцией, может быть найдена из выражения
где Еще лучшие условия роста могут быть получены в вынужденном гидродинамическом режиме, который достигается путем принудительного движения раствора вблизи кристалла или кристалла в растворе. При увеличении скорости относительного движения улучшается снабжение межфазовой границы веществом и уменьшаются, а иногда исчезают, градиенты концентрации вдоль поверхности грани. Это позволяет выращивать крупные однородные кристаллы с высокой скоростью. Однако скорость движения для данных веществ, температурных градиентов и пересыщений в каждом случае имеет оптимальное значение, выше которого скорость роста кристалла уменьшается, а качество его становится хуже. Это обусловлено тем, что слишком быстрый поток может ограничивать межфазовый массообмен и вызовет эррозию поверхности кристалла. Скорость процесса доставки вещества к данному месту гладкой поверхности грани в вынужденном гидродинамическом режиме определяется выражением
где Отсюда можно вычислить, на каком расстоянии от переднего ребра на поверхности грани при данном пересыщении и данной скорости движения раствор истощается, и рост грани прекратится. Если же скорость роста известна, можно рассчитать оптимальную скорость движения. Правильно организованный вынужденный гидродинамический режим позволяет выращивать однородные совершенные кристаллы при больших пересыщениях и повышенных температурах, т. е. в условиях, обеспечивающих высокую скорость роста кристалла.
|
1 |
Оглавление
|