Главная > Материалы квантовой электроники
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

8.6.    Общая технологическая схема изготовления диодов ПКГ

Ниже приведена одна из возможных технологических схем.

(см. скан)

(см. скан)

Измерение параметров диодов:

— вольтамперная характеристика,

— пороговый ток,

— мощность излучения,

— удельное сопротивление,

— расходимость пучка света.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление