Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
8.8. Гетероструктуры на основе арсенида галлияКак указывалось в § 7.3, вследствие возрастания порогового тока с повышением температуры работа арсенид-галлиевых диодов в непрерывном режиме возможна лишь при температуре ниже комнатной. Поэтому важнейшим условием осуществления непрерывного режима работы при комнатной температуре является снижение порогового тока. Минимальная плотность порогового тока 50 000 А/см2 при Другой целью новых разработок в области ПКГ является уменьшение длины волны излучения, которая определяется шириной запрещенной зоны. Для арсенида галлия длина волны излучения при ,25°С равна 9 000 А, а при -196°С фосфора более 0,5 не имеет места. Мииимальные длины волн излучений при комнатной температуре равны Оказалось, что при использовании гетероструктур помимо уменьшения длины волны излучения достигается существенное снижение плотности порогового тока. Для гетероструктуры Из всех полупроводников со структурой сфалерита арсенид алюминия лучше всего подходит к арсениду галлия по структурным характеристикам. Постоянные решетки этих материалов практически совпадают: 5,6534 для GaAs и 5,6576 для Рассмотрение фазовых диаграмм показывает, что в системе галлий — алюминий не образуется никаких соединений, а в системе алюминий — мышьяк имеется только одно сильно диссоциирующее соединение ясно, что эта гстероструктура может быть успешно получена методом эпитаксии из галлиевого раствора. Поскольку возможное образование
Рис. Процесс проводят в атмосфере водорода. Температура начала роста При более высоких концентрациях алюминия в растворе зонная структура наросшего слоя становится непрямой. Состав наросшего слоя Поскольку цинк довольно летуч, то большая часть его теряется в процессе выращивания. Поэтому концентрация цинка в наросшем слое максимальна в начале роста. До начала растворения происходит диффузия цннка в арсенид галлия из паровой фазы. После начала роста диффузия цинка продолжается из нарастающего слоя. Диффузионный профиль цинка в арсениде галлия получается при этом ровным, с резким падением.
Рис. 8.23. Растворимость цинка в арсениде галлия при
Рис. 8.24. Влияние концентрации цинка в расплаве на глубину Количество цинка, которое необходимо иметь в растворе, находят из изотермы тройной системы Раствор приводят в контакт с подложкой при небольшом перегреве с тем, чтобы произошло растворение подложки на глубину около 1 мкм. Зависимость глубины разбавленном растворе азотной кислоты Пластину с эпитаксиальным слоем шлифуют Различие энергетических диаграмм гомо- и гетероструктур схематически показано на рис. 8.26. Электроны, инжектируемые в Толщина активной области
Рис. 8.25. Схема изготовления гетероструктурного диода из пластины: 1 — пластина после эпитаксии; 2 — скол: 3 — резка; 4 — покрытие
Рис. 8.26. Различие гомоструктуры (а) и гетероструктуры (б) в процессе работы диода. изготовленных на подложках с оловом или кремнием Гетероструктурные диоды обладают в 3—4 раза более высокими квантовым выходом и к. п. д., чем арсенид-галлиевые. Замечено также, что для данной толщины выше которой пороговый ток быстро возрастает. При Одним из возможных объяснений столь существенного улучшения лазерных характеристик при использовании гетероструктур является тот факт, что активная область имеет более высокий показатель преломления, чем соседние, образуя таким образом волновод, в пределах которого концентрируется излучение. Волноводный эффект уменьшает потери на поглощение. Очевидно, система Увеличение длины волны излучения достигается в
|
1 |
Оглавление
|