ГЛАВА III. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ
Усиление и преобразование электрических сигналов в системах автоматического управления производится в основном при помощи электронных, магнитных и электромашинных устройств. Электронные методы усиления и преобразования являются наиболее универсальными и гибкими.
Использование полупроводниковых приборов (в первую очередь транзисторов и тиристоров), обеспечивающих высокий к. п. д. при низких напряжениях питания и больших токах, имеющих малые габаритные размеры и большой срок службы, позволяет существенно расширить область применимости электронных методов в устройствах автоматического управления.
В современной автоматике явно выражена тенденция к расширению области применения электронных методов усиления и преобразования при использовании в основном транзисторов и тиристоров в сочетании их с другими бесконтактными элементами, и в первую очередь — интегральными микросхемами.
Интегральные микросхемы в настоящее время позволяют решать практически все задачи преобразования информации и предварительного усиления малых сигналов постоянного и переменного тока, обеспечивая высокую надежность и компактность устройств.
Применяя мощные транзисторы и тиристоры в бескорпусном исполнении, можно уже в настоящее время изготовлять мощные интегрально-гибридные схемы с выходным током более 10 А. Это позволяет создавать качественно новые системы управления и преобразования энергии.
Проектирование полупроводниковых устройств автоматического управления сводится к определению рационального сочетания интегральных микросхем и мощных гибридных схем с дискретными полупроводниковыми приборами и к расчету режимов элементов с целью получения оптимальных энергетических и других показателей системы в целом.
Диэлектрические усилители характеризуются значительной механической прочностью и надежностью в условиях повышенной влажности, высокого давления или глубокого вакуума.
В данной главе рассматриваются вопросы построения и расчета основных звеньев транзисторных, тиристорных и диэлектрических усилительно-преобразовательных устройств.
Основные технические характеристики транзисторных и тиристорных усилителей приведены в табл. III. 1.
Таблица III.1 (см. скан) Основные технические характеристики транзисторных и тиристорных усилителей
