Цепи смещения.

В каскадах предварительного усиления и предоконечных каскадах с выходной мощностью от неограниченно малой до десятков милливатт для создания режима класса А могут быть использованы три основных схемы смещения (рис. III.5). Каждая из них может быть дополнена эмиттерным повторителем, гальванически связанным с первым транзистором. Все сопротивления цепей смещения однозначно определяются при заданных

При подключении к основным схемам эмиттерных повторителей можно не изменять режима первого транзистора и сопротивлений цепи смещения, если ток базы второго транзистора значительно меньше коллекторного тока первого транзистора. Для расчета этих схем следует воспользоваться методикой, изложенной в работах [4,15].

Рис. III. 5. Основные схемы цепей смещения для режима класса А: а — с последовательной обратной связью; б — с параллельной обратной связью и отдельным источником смещения; в — с параллельной обратной связью без дополнительного источника

В схеме с последовательной обратной связью по постоянному току (рис. II 1.5, а) сопротивления цепи смещения определяются выражениями

где

Схемы с параллельной обратной связью по постоянному току (рис. II 1.5, б, в) обычно применяют, дополнив их эмиттерными повторителями.

В выражениях (III.6) — (III.10) приняты следующие обозначения:

— номинальное напряжение коллектор—эмиттер;

— предусмотренное уменьшение напряжения коллектор— эмиттер при заданном увеличении — обратный коллекторный ток при минимальной температуре переходов);

— напряжение питания каскада;

напряжение на сопротивлении в цепи эмиттера (не менее 3—5 В);

— номинальное значение коллекторного тока;

— коэффициент нестабильности коллекторного тока;

А — коэффициент вариаций:

— возможное увеличение обратного коллекторного тока из-за повышения температуры переходов и технологического разброса; а — минимальное значение коэффициента усиления транзистора по току; — возможное увеличение коэффициента усиления по току из-за повышения температуры переходов и технологического разброса.

Расчет цепей смещения при величине определяемой коэффициентом вариаций А, обеспечивает заданную стабильность режима транзистора при изменениях и а в пределах , независимо от причин, вызывающих эти изменения.