16.3.3. ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ ПАРАТЕЛЛУРИТА

Точечные дефекты. Основными точечными дефектами в кристаллах парателлурита являются дефекты в анионной подрешетке с участием вакансий кислорода. При облучении электронами с энергией были обнаружены парамагнитные центры и парные парамагнитные центры Структура этих центров показана на рис. 16.11. Кроме вакансионных центров в под действием

Рис. 16.11. Структура парамагнитных центров в парателлурите [18]: а - центры парные центры

радиации могут образовываться центры типа Как показано в [38], эти центры не находятся в регулярных узлах кислородной решетки, а образуют внедрения которые присоединяются к структурным цепочкам . В результате возникают парные кислородные центры

Дислокации. После выращивания кристаллов и пластической деформации дислокации в выявлялись методом избирательного травления в растворе при комнатной температуре и исследовались методами лазерной томографии и рентгеновской топографии [19]. Пластичность наблюдается при и является термически активируемой (рис. 16.12). Системы скольжения в этих кристаллах - Наиболее легкое скольжение происходит по плоскости (001).

Характеристикой, наиболее чувствительной к качеству кристаллов, является затухание звука. Присутствие дислокаций в кристаллах парателлурита влияет на затухание звуковых волн. Затухание звука повышается при возрастании плотности дислокаций в процессе выращивания кристаллов [19] и в результате пластической деформации [20] (см. рис. 16.13). Затухание упругих волн в не может быть вызвано движением дислокаций по механизмам Гранато - Люке или Бордони, так как барьер Пайерлса в достаточно высок. Экспериментально это предположение подтверждается влиянием дислокации на затухание продольных акустических волн, распространяющихся вдоль [001], в кристаллах, содержащих дислокации в плоскостях (001). Эти продольные волны не создают сдвиговых напряжений в плоскостях (001) и не могут вызвать движения дислокаций,

Рис. 16.12. Температурная зависимость предела текучести кристаллов парателлурита [20] при сжатии по осям: к плоскости (001)

Рис. 16.13. Частотные зависимости затухания звука в парателлурнте [20]: О - кристалл после выращивания; - кристалл после пластической деформации

определяющего затухание по механизмам Гранато - Люке или Бордони. Предполагается [20], что в кристаллах дислокации влияют на параметры, от которых зависит затухание упругих волн из-за их взаимодействия с фононным спектром кристалла, в частности, затухание по механизму Ахиезера. Присутствие дислокации, как и других дефектов, усиливает энгармонизм колебаний кристаллической решетки, увеличивая теплопроводность и константу Грюнайзена, что и приводит к возрастанию затухания.