Главная > Кристаллы квантовой и нелинейной оптики
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

12.4. СВОЙСТВА КТР

Симметрия кристаллов титанилфосфата калия предполагает возможность сегнетоэлектрического состояния [2]. Изменение интенсивности генерации второй гармоники в зависимости от температуры [28] и диэлектрических свойств позволило установить верхнюю границу существования сегнетоэлектрического состояния Парафазе

КТР приписывается пространственная группа а сегнетофазе (Pmna) [28 - 30]. Однако из-за высокой ионной проводимости, наблюдаемой вплоть до температур 210...230 К [31], спонтанная поляризация хорошо компенсируется свободными зарядами (подвижными ионами при высоких температурах и зарядами электронной подсистемы - при низких). Высокая ионная проводимость при температурах, близких к компенсируя заряды спонтанной поляризации, препятствует образованию доменных границ [32]. В кристаллах, полученных из раствора в расплаве, компенсация поля спонтанной поляризации существует до температур 148 К [31].

Электропроводность КТР обеспечивается в основном за счет движения ионов по зигзагообразным каналам вдоль оси Это определяет сильную анизотропию ионной электропроводности: превосходит порядков. Электронная проводимость более изотропна и может быть оценена по измерениям величин в плоскости При температурах, близких к комнатной, электронные составляют что на семь порядков ниже, чем

ионная проводимость связанная с движением ионов Энергия активации катионной электропроводности составляет 0,4 эВ. Величина энергии активации электропроводности где Н - энергия миграции ионов энергия образования подвижных катионов. Анализ частотной зависимости проводимости монокристаллов КТР при различных температурах позволяет отделить температурную зависимость частоты перескока катиона от температурной зависимости а и определить отдельно Н и На [33]. Оказалось, что На меньше II, т.е. и концентрация мобильных катионов растет с ростом температуры. Величина структурно чувствительна и зависит от качества кристалла: в совершенных кристаллах она меньше чем в дефектных. По-видимому, дефекты кристаллического строения могут выполнять для катионов роль ловушек, освобождение из которых требует дополнительной энергии. Некоторые характеристики движения катионов в совершенном кристалле КТР даны в табл. 12.1.

Доля катионов принимающих участие в проводимости, составляет что на несколько порядков выше, чем число носителей заряда в обычных ионных проводниках. Поэтому КТР можно отнести к суперионным проводникам. Поскольку число носителей заряда в КТР при падении температуры уменьшается очень медленно (мала то область суперионной проводимости достигает весьма низких температур. Переход от диэлектрика к суперионному проводнику в КТР происходит в интервале 195...280 К. При высоких температурах, вблизи температур сегнетоэлектрического фазового перехода доля ионов, участвующих в переносе заряда, достигает Сегнетоэлектрический переход не оказывает заметного влияния на ионную проводимость КТР: выше и ниже зависимость электропроводности от температуры одинакова. Аномалия а измеряемой на переменном токе (1 МГц), наблюдается вблизи (несколько ниже) и определяется вкладом в (С - емкость) величины имеющей на частотах Гц максимум в районе

Таблица 12.1. Характеристики процесса движения катиона в малодефектном кристалле КТР |33]

Максимум наблюдаемый на частотах 105 Гц в интервале температур 150...300 °С, является релаксационным. Температура его появления определяется выражением

где - частота попытки релаксатора;

энергия активации релаксационного процесса.

По данным, приведенным в [33], эВ, Гц, что соответствует области ИК-поглощения Величина со о более чем на порядок превосходит частоту попытки для колебаний катионов в суперионных проводниках (в данном случае тяжелых катионов и слишком мала для электронных процессов. На этом основании релаксационный процесс, определяющий появления пика связывают с движением анионов. В этом случае эВ является барьером между положением решеточного кислорода и ближайшей кислородной вакансией. Предполагается, что за анионную проводимость КТР ответственны кислородные вакансии, более легко образующиеся в позициях концевых ионов кислородных октаэдров. Так как высота барьера для перескока иона кислорода относительно велика, частота кислородного перескока при комнатной температуре составляет всего 10 Гц [3], так что вклад анионной проводимости в полную электропроводность при комнатной температуре пренебрежимо мал, но быстро возрастает с повышением температуры. Отжиг в кислороде мало влияет на характеристики катионной проводимости, но существенно снижает анионную проводимость.

Отсутствие концевого кислорода у кислородного октаэдра (образование вакансии кислорода способствует переходу иона в более низковалентное состояние . В результате образуются оптически активные центры с которыми связываются полосы поглощения вблизи 460 и 500 нм [40], приводящие к окрашиванию кристаллов КТР в желтый цвет. Появление полосы поглощения с максимумом 500 нм, близким к длине волны второй гармоники неодимового лазера (532 нм), ухудшает генерационные характеристики кристаллов КТР из-за увеличения поглощения на длине волны гармоники.

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru