ионная проводимость
связанная с движением ионов
Энергия активации катионной электропроводности составляет 0,4 эВ. Величина энергии активации электропроводности
где Н - энергия миграции ионов
энергия образования подвижных катионов. Анализ частотной зависимости проводимости монокристаллов КТР при различных температурах позволяет отделить температурную зависимость частоты перескока катиона
от температурной зависимости а и определить отдельно Н и На [33]. Оказалось, что На меньше II, т.е.
и концентрация мобильных катионов растет с ростом температуры. Величина
структурно чувствительна и зависит от качества кристалла: в совершенных кристаллах она меньше чем в дефектных. По-видимому, дефекты кристаллического строения могут выполнять для катионов роль ловушек, освобождение из которых требует дополнительной энергии. Некоторые характеристики движения катионов
в совершенном кристалле КТР даны в табл. 12.1.
Доля катионов
принимающих участие в проводимости, составляет
что на несколько порядков выше, чем число носителей заряда в обычных ионных проводниках. Поэтому КТР можно отнести к суперионным проводникам. Поскольку число носителей заряда в КТР при падении температуры уменьшается очень медленно (мала
то область суперионной проводимости достигает весьма низких температур. Переход от диэлектрика к суперионному проводнику в КТР происходит в интервале 195...280 К. При высоких температурах, вблизи температур сегнетоэлектрического фазового перехода доля ионов, участвующих в переносе заряда, достигает
Сегнетоэлектрический переход не оказывает заметного влияния на ионную проводимость КТР: выше и ниже
зависимость электропроводности от температуры одинакова. Аномалия а
измеряемой на переменном токе (1 МГц), наблюдается вблизи (несколько ниже) и определяется вкладом в
(С - емкость) величины
имеющей на частотах
Гц максимум в районе
Таблица 12.1. Характеристики процесса движения катиона
в малодефектном кристалле КТР |33]
Максимум
наблюдаемый на частотах 105 Гц в интервале температур 150...300 °С, является релаксационным. Температура его появления
определяется выражением
где
- частота попытки релаксатора;
энергия активации релаксационного процесса.
По данным, приведенным в [33],
эВ,
Гц, что соответствует области ИК-поглощения
Величина со о более чем на порядок превосходит частоту попытки для колебаний катионов в суперионных проводниках (в данном случае тяжелых катионов
и слишком мала для электронных процессов. На этом основании релаксационный процесс, определяющий появления пика
связывают с движением анионов. В этом случае
эВ является барьером между положением решеточного кислорода и ближайшей кислородной вакансией. Предполагается, что за анионную проводимость КТР ответственны кислородные вакансии, более легко образующиеся в позициях концевых ионов кислородных октаэдров. Так как высота барьера для перескока иона кислорода относительно велика, частота кислородного перескока при комнатной температуре составляет всего 10 Гц [3], так что вклад анионной проводимости в полную электропроводность при комнатной температуре пренебрежимо мал, но быстро возрастает с повышением температуры. Отжиг в кислороде мало влияет на характеристики катионной проводимости, но существенно снижает анионную проводимость.
Отсутствие концевого кислорода у кислородного октаэдра (образование вакансии кислорода
способствует переходу иона
в более низковалентное состояние
. В результате образуются оптически активные центры
с которыми связываются полосы поглощения вблизи 460 и 500 нм [40], приводящие к окрашиванию кристаллов КТР в желтый цвет. Появление полосы поглощения с максимумом 500 нм, близким к длине волны второй гармоники неодимового лазера (532 нм), ухудшает генерационные характеристики кристаллов КТР из-за увеличения поглощения на длине волны гармоники.