Рис. 9.35. Схема образования заряда при электронном сканировании по отрицательной стороне монодоменной пластины z-среза ииобата лития [64]: 1 - электронный луч; 2 - разность потенциалов; 3 - заземленная подложка; 4 - кристалл ниобата лития; 5 - область электрического заряда
Рис. 9.36. Регулярная доменная структура периодом 3 мкм [64)
Рис. 9.37. Островковая доменная структура [64]
(скорость сканирования). При ускоряющем напряжении 30 кВ для получения РДС на ниобате лития оптимальными можно считать токи порядка 10 9 А и скорости сканирования 300...700 мкм/с. Таким способом удается получать РДС с периодом до 3 мкм (рис. 9.36). При меньших периодах доменные стенки «срастаются» так, что домены представляют собой не полосы, а отдельные островки (рис. 9.37).
-среза ниобата лития (подложке) сканируют электронным лучом. Источником электронного луча может служить электронная пушка микроскопа типа 
Другая, положительная, сторона подложки заземляется. Высокое электросопротивление ниобата лития 
) не позволяет растекаться заряду по объему кристалла, и заряд локализуется в приповерхностном слое глубиной около 3 мкм (рис. 9.35). Между подложкой и областью наведенного заряда возникает разность потенциалов, приводящая к переполяризации. Плотность заряда в приповерхностном слое определяется величиной тока электронного луча и скоростью перемещения его по поверхности кристалла
