Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
2.1.2. Структура кристалловСтруктура кристаллов ...Особенности структуры ионных кристаллов зависят прежде всего от соотношения ионных радиусов катионов и анионов, образующих соединение. Размер катиона определяет размер мест, которые должна обеспечить для размещения катионов анионная подрешетка. Ионный радиус кислорода 0,14 нм. При плотнейшей упаковке ионов такого размера возникают пустоты размером Расстояние между плоскостями этих треугольников 0,2164 нм. Искажение плотнейшей упаковки, вызванное несоответствием размеров иона
Рис. 2.2. Расположение катионов в плоскости
Рис. 2.3. Кислородный октаэдр в структуре
Рис. 2.4. Позиции катионов в структуре 0,2164 нм. Кроме того, верхний треугольник повернут относительно нижнего не на 60°, как в плотнейшей упаковке, а на Ион Поскольку в структуре Структура кристаллов ...Естественные гранаты - это силикаты с общей химической формулой
Рис. 2.5. Позиции катионов в структуре иттрий-алюминиевого граната: Элементарная ячейка граната содержит восемь формульных единиц (160 ионов), в том числе Октаэдрические позиции в гранате образуют Таблица 2.2. Позиции катионов в структуре граната
Рис. 2.6. (см. скан) Расположение кислородных октаэдров в структуре ИАГ. Плоскость рисунка параллельна плоскости {100}. Цифрами показаны расстояния ионов от нижней грани элементарной ячейки, размер которой принят за 100. Кислородные октаэдры искажены и повернуты на углы Додекаэдр можно рассматривать как искаженный куб, две грани которого, перпендикулярные оси 4, повернуты относительно друг Друга вокруг оси 4 и переломлены так, что ось 4 превращается в ось
Рис. 2.7. Элемент структуры ИАГ, включающий додекаэдрнческую позицию ионов
Рис. 2.8. Мотив соединения тетраэдров и додекаэдров в структуре ИАГ. Вид по направлению Структура алюмината иттрияАлюминат иттрия имеет искаженную ромбическую структуру, близкую к перовскиту
Рис. 2.9. Позиция нона иттрня и восьми окружающих иттрнй ионов кислорода в структуре размещения катионов, размер которых может достигать размера иона кислорода. Такая структура легко воспринимает примеси катионов, в том числе и ионы неодима. В результате коэффициент распределения для Дефекты структуры кристаллов ...Дефекты структуры любого кристалла определяются двумя основными группами факторов: а) структурой и физико-химическими свойствами самого кристалла; б) методом и условиями выращивания и технологической обработки кристалла. Несмотря на различие симметрии, состава и координации ионов в кристаллах соединений двойники, особенности макродефектов, возникающие из-за морфологических различии кристаллов). Решение вопроса о том, что превалирует - различие или сходство, определяет и способ описания тех или иных дефектов: рассматривать ли каждый кристалл с присущими ему дефектами отдельно или рассматривать данный тип дефектов на Примерах тех или иных кристаллов, отмечая особенности их поведения в других кристаллах. Следует учесть, что дефекты структуры в рубине и сапфире подробно рассмотрены в литературе [3]. Это освобождает от необходимости подробно рассматривать дефекты структуры рубина, в частности их особенности, связанные с получением кристаллов рубина методом Вернейля. Дефекты в ИАГ (особенно то, что относится к включениям, концентрационной неоднородности), дефекты в кристаллах, полученных, методом направленной кристаллизации, достаточно полно описаны в работах А.А. Каминского и В.В. Осико [17], Х.С. Багдасарова [18] и обзорах [8]. Это позволяет ограничиться кратким описанием большинства дефектов, обращая внимание на особенности проявления данного типа дефектов в различных кристаллах. В основном будут рассматриваться кристаллы, выращенные методом Чохральского, получившим наибольшее распространение при выращивании кристаллов ИАГ и ИАП для квантовой электроники.
|
1 |
Оглавление
|