Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
18.1. Ti-ДИФФУЗИОННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ18.1.1. ВЫБОР КРИСТАЛЛОВ И ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИВыбор кристаллов для подложек во многом определяет успех изготовления определяют успехи технологии получения волноводов, воспроизводимость характеристик ОИС и их стабильность. Для изготовления подложек используются кристаллы конгруэнтно плавящегося состава Большое значение имеет обработка поверхности кристаллической пластины. В качестве подложек используются Для изучения структуры и глубины нарушенного слоя использовались методы избирательного травления и рентгеновской трехкристальной спектроскопии. На рис. 18.2 показана зависимость шероховатости поверхности ниобата лития от размера абразива; в табл. 18.1 приведены глубины приповерхностных нарушенных слоев, полученных после шлифовки кристаллов ниобата лития. Шероховатость поверхности составляет лишь
Рис. 18.1. Схема поверхностного нарушенного слоя в кристалле: 1 - шероховатость; 2 - трещины, двойникн; 3 - напряжения
Рис. 18.2. Зависимость шероховатости поверхности значит, что длительность обработки абразивом каждого номера должна быть в несколько раз больше, чем длительность обработки, обеспечивающая удаление шероховатости, полученной при обработке абразивом предыдущего номера. Такая механическая обработка поверхностей обычно называется «глубокой» полировкой. При механической полировке ниобата лития последним номером алмазного абразива должен быть «отмученный» После механической обработки поверхности кристалла требуют тщательной очистки, которая может включать химическую и ионноплазменную обработку. Для химической очистки можно рекомендовать такую последовательность операций: 1) кипячение 20...30 мин в растворе, содержащем 2) промывка в горячей деионизированной воде при 60...80 °С; 3) сушка в центрифуге с обдувкой сухим азотом. После подготовки поверхности производится напыление металлического (Ti) слоя и формирование топологии интегральной схемы с помощью известных в микроэлектронике приемов (фотолитографии, химического или ионно-плазменного травления и т.д.). Следует обратить внимание на то, что в процессе формирования рисунка интегральной схемы неоднократно производится нагрев и охлаждение кристалла. Например, подложка может нагреваться до 150... 160 °С при напылении металлической пленки, до 180 °С при «задубливании» фоторезиста. Пирополя, возникающие при таком термоциклировании, в интервале 50 - 200 °С могут приводить к разрушению подложек в результате пьезоэффекта. Поэтому режим нагрева и охлаждения подложек должен быть достаточно мягким (скорости нагрева и охлаждения зависят от геометрии подложек). Таблица 18.1. Глубина приповерхностных нарушенных слоев, полученных после шлифовки поверхностей кристалла ниобата лития алмазными пастами
Важно определить состояние титана в поверхностном слое, из которого происходит диффузия титана в подложку. Титан диффундирует не из металлической пленки, а из контактного слоя, в котором происходит взаимодействие металлического титана с подложкой. Если бы в контактном слое образовывался просто твердый раствор титана в материале подложки, то концентрацией титана в источнике диффузии следовало бы считать предел растворимости
|
1 |
Оглавление
|