10.4. СКОРОСТНОЕ ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ
Обычно скорость выращивания кристаллов группы KDP составляет 
. В последнее время разработан метод выращивания, в котором скорость роста на порядок выше. Увеличение скорости роста обычно сопровождается повышением дефектности кристалла, в частности, повышением концентрации включений материнского раствора. При слоистом росте образование включений связано в основном с появлением на поверхности кристалла макроступеней, причина появления которых - непостоянство пересыщения на разных участках растущей поверхности. При диффузионном режиме пересыщение вблизи поверхности растущего кристалла близко к нулю, поэтому даже небольшие флуктуации условий кристаллизации могут вызывать большие колебания пересыщения. При кинетическом режиме пересыщение на поверхности кристалла практически такое же, как и в объеме раствора, т.е. постоянное.
Вопрос состоит в том, какие из параметров выражения (10.1) следует изменить для повышения скорости роста без ухудшения качества кристалла. При 
увеличение пересыщения и скорости роста сдвигает механизм кристаллизации в диффузионную область, что приводит к ухудшению качества кристаллов с ростом скорости кристаллизации. Если, как это обычно бывает, кристалл растет в условиях смешанного механизма, то для перевода роста в кинетический режим нужно:
- уменьшить толщину диффузионного слоя, что можно сделать с помощью перемешивания;
- уменьшить кинетический коэффициент 
, компенсируя снижение 
некоторым повышением пересыщения. Этот путь более эффективен при 
Важная проблема при скоростном росте за счет повышения пересыщения состоит в увеличении числа центров кристаллизации и, как следствие этого, в появлении множества «паразитных» кристаллов. Основной причиной этого являются примеси, образующие дополнительные центры кристаллизации. Один из способов избавиться от появления лишних центров кристаллизации - связать примеси в растворимые комплексы с помощью специальных комплексообразователей. Раствор следует тщательно профильтровать и выдержать при температуре, превышающей температуру насыщения. Раствор в присутствии растущего кристалла должен выдерживать пересыщение до 5 % в течение нескольких недель без дополнительного зародышеобразования. Специальные меры по устранению зародышеобразования позволяют увеличить пересыщение настолько, что скорость кристаллизации может достигать 10...60 мм/сут и полученные кристаллы оказываются достаточно высокого качества [7].
