9.3.2. Несимметричная полосковая линия с твердым диэлектриком
Плоская линия передачи, состоящая из полоскового проводника, отделенного от заземленной пластины диэлектрическим слоем, известна под названием несимметричной полосковой линии с твердым диэлектриком (microstrip) [3, 49]. Расстояние между полоской и заземленной пластиной значительно меньше длины волны. Согласно приближенной теории [6], в которой предполагается распространение лишь волны ТЕМ, волновое сопротивление равно
а фазовая скорость составляет
где
погонные значения, откуда следует
Именно это соотношение было использовано Ардити [4], который измерил С на низких частотах,
на СВЧ. Было найдено, что скорость распространения постоянна в широком диапазоне частот.
Имеются работы [30, 82], где рассматривается строгая теория распространения в несимметричной полосковой линии. Блэк и Хиггинс [14] провели точный расчет длины волны для случая бесконечно широкой заземленной плоскости; на рис. 9.8 дана зависимость длины волны от
для двух значений диэлектрической проницаемости. При увеличении ширины полоски отношение
стремится к нулю, а длина волны в линии — к значению
Эти результаты хорсшо согласуются с измерениями Дьюкса [36], выполненными с помсщью электролитической ванны для
Из анализа, проведенного Боунессом [15], который использовал результаты измерений [8] постоянной для краевой емкости линии, для волнового сопротивления получено выражение
Этот результат получен в предположении, что толщина полоскового проводника мала по сравнению с его шириной и что
Дьюкс [33] провел расчеты волнового сопротивления несимметричной полосковой линии, введя в рассмотрение волны типа квази-ТЕМ; полученные результаты хорошо согласуются с измерениями, проведенными в диапазоне СВЧ. Расчет проводился для значений
лежащих между 1 и 10; на рис. 9.8 даны кривые, соответствующие
Рис. 9, 8, Характеристики несимметричной полосковой линии с твердым диэлектриком. --- Волновое сопротивление;
длина волны в линии при
а и в — стеклоткань, пропитанная тефлоном,
; б и г - стеклоткань с кремний-органической пропиткой.
(См. [33].)
Для практически используемых размеров потери в проводниках не отличаются сильно от потерь в бесконечной плоскопараллельной системе, которые в децибелах на метр равны
где
сопротивление поверхностного слоя на высокой частоте в омах на метр.
Потери в диэлектрике, определяемые уравнением (9.5), обычно больше, чем потери в проводниках; потери на излучение обычно малы.
Поскольку наличие волн высших видов изменяет значение коэффициента затухания вблизи точки возбуждения, измерения надо производить на расстоянии не менее 20 длин волн [3].
На рис. 9.9 дан график затухания и указаны соответствующие значения ненагруженного
для линии толщиной
с заполнением из стеклоткани, пропитанной тефлоновой смолой. Линия с толщиной диэлектрического слоя
имеет на частоте
затухание
которое слагается из затухания,