Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
7.4.2. Определение эффективной массы носителейЦиклотронный резонанс является одним из немногих прямых методов определения эффективной массы носителей зарядов в твердых телах. Физическая причина изменения массы и даже возможности появления отрицательной эффективной массы [582] состоит во взаимодействии подвижных зарядов, описываемых соответствующими волнами де-Бройля и имеющих периодическую атомную структуру кристаллов. Когда длина волны становится приблизительно равной расстоянию между последовательными атомами, происходит сильное изменение отражения носителей. Очевидно, что величина эффективной массы тесно связана с атомной структурой и энергетическими уровнями системы. Впервые циклотронный резонанс наблюдался на германии с удельным сопротивлением 38 ом-см на частоте при температуре 4° К [140]. Для вещества -типа резонансное поле в соответствует эффективной массе электронов Для вещества -типа имеется два вида дырок — легкие и тяжелые — с эффективными массами соответственно Дальнейшие эксперименты [132, 320, 321] показали, что масса легких дырок обладает анизотропией порядка 2%, но тяжелые дырки характеризуются значительно большими изменениями массы (рис. 7.21, а). Вся линия может быть описана формулой
где — угол между приложенным магнитным полем и осью кристалла.
Рис. 7. 21. Циклотронный резонанс в германии: а — зависимость эффективной массы носителей от ориентации кристалла; б - осциллограмма с восемью резонансами. (См. [132, 133].) Эта линия близко совпадает с экспериментальными результатами как для частоты так и для частоты Времена столкновений для двух видов дырок, определяемые по ширине линии, приближенно равны между собой, типичным является значение сек. При измерениях [133] на частотах от 9 до наблюдалось несколько резонансных пиков, соответствующих различным проекциям кристаллической оси (рис. 7.21, б). Для того чтобы выявить все восемь резонансов, магнитное поле направлено под углом 10° к плоскости (1 1 0) и под углом 30° К оси [1 0 0]. Измерения циклотронного резонанса на кремнии [131, 141] также показали анизотропию эффективной массы. Такие исследования проводились с частотами до при температурах от 1,2 до 50° К. Эксперименты со сплавами на частотах [143] также свидетельствовали о зависимости массы от направления. Были исследованы также другие полупроводники, в том числе антимонид индия [144] и арсенид кадмия [430]. Плазменные эффекты [142], возникающие при повышенных температурах, могут подавить резонансные явления. Эффективная масса может быть определена измерением реальной и мнимой частей высокочастотной проводимости [32, 33, 142, 200]. Изменения добротности и собственной частоты резонатора определяются следующими формулами, в которых С есть постоянная:
Поскольку со известна, то время между столкновениями можно вычислить из уравнения
При известной геометрии резонатора и зонда можно определить постоянную С. Если измерить в функции концентрации носителей, то можно вычислить массу носителей. Плазменные эффекты в германии на частоте при температуре 90° К [546, 547] удалось исключить с помощью присадки золота. Циклотронный резонанс наблюдался посредством перекрестной модуляции [495, 557]. Так как в металле имеется большое количество электронов проводимости, то из-за взаимного отталкивания происходит фазовая расфокусировка орбит, в результате чего трудно добиться острого резонанса. Однако экспериментальные результаты [134, 184], полученные с отдельными кристаллами висмута, находятся в хорошем согласии с теоретическими расчетами [9, 446, 516]. Графит исследовался [185] с помощью поляризованного по кругу электрического поля высокой частоты; магнитное поле при этом было направлено перпендикулярно поверхности. Форма линии согласуется с теоретической [517]. Расфокусировка отсутствует, если постоянное магнитное и высокочастотное электрическое поля направлены строго параллельно поверхности металла [19, 20, 103, 511, 512]. В имеющих место условиях аномальной проводимости электрон только в верхней части своей орбиты попадает в поверхностный слой и подвергается действию высокочастотного поля. Если последнее направлено вдоль магнитного поля, то электрон движется по спирали и не взаимодействует с соседними частицами. Можно предсказать весь набор субгармонических резонансных частот, так как электрон попадающий в поверхностный слой, после двух или более периодов имеет фазу нужную для взаимодействия. За первыми наблюдениями этого эффекта Фаусеттом на частоте 24 Ггц [162] последовали дальнейшие эксперименты с оловом [515, 549], висмутом [513], алюминием [556, 565], медью [162, 564, 576] и цинком [559]. Полученные результаты нашли теоретическое объяснение [541, 551, 560]. ЛИТЕРАТУРА(см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан) (см. скан)
|
1 |
Оглавление
|