Главная > Основные законы электромагнетизма (И.Е. Иродов)
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

При переходе от одной системы отсчета к другой поля E и B определенным образом преобразуются. Законы этого преобразования устанавливаются в специальной теории относительности, причем довольно сложным образом. По этой причине мы не будем воспроизводить здесь соответствующие выводы, а сосредоточим внимание на содержании этих законов, на вытекающих из них следствиях, а также на том, как следует пользоваться этими законами при решении некоторых конкретных вопросов.

Постановка вопроса.
Пусть имеются две инерциальные системы отсчета: $K$-система и движущаяся относительно нее со скоростью $\mathbf{v}_{0}$ система $K^{\prime}$. В некоторой пространственно-временной точке $K$-системы отсчета известны значения полей $\mathbf{E}$ и В. Какими будут значения полей $\mathbf{E}^{\prime}$ и $\mathbf{B}^{\prime}$ в той же самой пространственно-временной точке в $K^{\prime}$-системе отсчета? Напомним, что одной и той же пространственновременной точкой называют такую, координаты и время которой в обеих системах отсчета связаны между собой преобразованиями Лоренца*.

Ответ на этот вопрос, как уже было сказано, дает теория относительности, которая показывает, что законы преобразования полей выражаются следующими формулами:

Здесь символами $\|$ и $\perp$ отмечены продольные и поперечные (по отношению к вектору $\mathbf{v}_{0}$ ) составляющие электрического и магнитного полей, $\beta=v_{0} / c, c-$ скорость света в вакууме $\left(c^{2}=1 / \varepsilon_{0} \mu_{0}\right)$.
\[
* x^{\prime}=\frac{x-v_{0} t}{\sqrt{1-\left(v_{0} / c\right)^{2}}}, \quad y^{\prime}=y_{1} \quad z^{\prime}=z, \quad t^{\prime}=\frac{t-x v_{0} / c^{2}}{\sqrt{1-\left(v_{0} / c\right)^{2}}} .
\]

Эти же формулы, записанные в проекциях, имеют вид:

где предполагается, что оси координат $X$ и $X^{\prime}$ направлены вдоль вектора $\mathbf{v}_{0}$, ось $Y^{\prime}$ параллельна оси $Y$, ось $Z^{\prime}-$ оси $Z$.

Из уравнений (8.1) и (8.2) видно, что каждый из векторов $\mathbf{E}^{\prime}$ и $\mathbf{B}^{\prime}$ выражается как через $\mathbf{E}$, так и через В. Это свидетельствует о единой природе электрического и магнитного полей. Каждое из них в отдельности не имеет абсолютного смысла: об электрическом и магнитном полях можно говорить лишь с обязательным указанием системы отсчета, в которой эти поля рассматриваются.

Подчеркнем, что свойства электромагнитного поля, выраженные в законах его преобразования, являются локальными: значения $\mathbf{E}^{\prime}$ и $\mathbf{B}^{\prime}$ в некоторой пространственновременной точке $K^{\prime}$-системы отсчета однозначно определяются только через значения Е и В в той же пространственно-временной точке $K$-системы отсчета.

Необходимо обратить внимание еще на следующие особенности законов преобразования полей:
1. В отличие от поперечных составляющих E и В, которые изменяются при переходе к другой системе отсчета, продольные составляющие не изменяют ся – во всех системах отсчета они оказываются одинаковыми.

2. Векторы Е и В связаны друг с другом в разных системах отсчета в высшей степени симметричным образом. Это особенно полно обнаруживается в форме записи законов преобразования через проекции полей [см. (8.2)].

3. Если надо получить формулы обратного преобразования (от $K^{\prime}$ к $K$ ), то достаточно в формулах (8.1) и (8.2) заменить все штрихованные величины на нештрихованные (и наоборот), а также – знак перед $v_{0}$.

Частный случай преобразования полей ( $v_{0} \ll c$ ).
Если $K^{\prime}$-система движется относительно $K$-системы со скоростью $v_{0} \ll c$, то корень в знаменателе формул (8.1) можно заменить на единицу, и мы будем иметь
\[
\begin{array}{ll}
\mathbf{E}_{\|}^{\prime}=\mathbf{E}_{\|}, & \mathbf{B}_{\|}^{\prime}=\mathbf{B}_{\|}, \\
\mathbf{E}_{\perp}^{\prime}=\mathbf{E}_{\perp}+\left[\mathbf{v}_{0} \mathbf{B}\right], & \mathbf{B}_{\perp}^{\prime}=\mathbf{B}_{\perp}-\left[\mathbf{v}_{0} \mathbf{E}\right] / c^{2} .
\end{array}
\]

Отсюда следует, что
Заметим, что первую из формул (8.4) можно получить непосредственно и очень просто. Пусть в $K$-системе в некоторый момент $t$ заряд $q$ имеет скорость $\mathbf{v}_{0}$. Действующая на него сила Лоренца $\mathbf{F}=q \mathbf{E}+q\left[\mathbf{v}_{0} \mathbf{B}\right]$. Перейдем в инерциальную $K^{\prime}$-систему, движущуюся относительно $K$-системы с той же скоростью, что и заряд $q$ в момент $t$, т. е. со скоростью $\mathbf{v}_{0}$. В этот момент заряд $q$ неподвижен в $K^{\prime}$-системе, и сила, действующая на покоящийся заряд, является чисто электрической: $\mathbf{F}^{\prime}=q \mathbf{E}^{\prime}$. При $v_{0} \ll c$, как в нашем случае, сила инвариантна $\left(\mathbf{F}^{\prime}=\mathbf{F}\right)$, откуда и следует первая из формул (8.4).

Формулу же для преобразования магнитного поля можно получить только с помощью теории относительности в результате довольно громоздких выкладок.

Рассмотрим простой пример на применение формул (8.4).

Пример.
Большая металлическая пластинка движется с постоянной нерелятивистской скоростью у в однородном магнитном поле В (рис. 8.1). Найти поверхностную плотность зарядов, возникающих на плоскостях пластинки из-за ее движения.

Перейдем в систему отсчета, связанную с пластинкой. Согласно первой из формул (8.4) в этой системе отсчета будет наблюдаться постоянное однородное электрическое поле
\[
\mathbf{E}^{\prime}=[v B] .
\]

Оно будет направлено к нам. Под действием этого внешнего поля произойдет смещение зарядов так, что на обращенной к нам поверхности пластинки выступят положительные заряды, а на противоположной поверхности – отрицательные.

Поверхностная плотность $\sigma$ этих зарядов будет такой, чтобы создаваемое ими поле внутри пластинки полностью компенсировало внешнее поле $\mathbf{E}^{\prime}$, ибо при равновесии результирующее электрическое поле внутри пластинки должно быть равно нулю. Имея в виду соотношение (1.11), получим
\[
\sigma=\varepsilon_{0} E^{\prime}=\varepsilon_{0} v B .
\]

Заметим, что при решении этого вопроса можно было рассуждать и иначе – с точки зрения системы отсчета, где пластинка движется со скоростью v. В этой системе отсчета внутри пластинки будет электрическое поле. Оно возникает вследствие действия магнитной части силы Лоренца, вызывающей смещение всех электронов в пластинке за плоскость рис. 8.1. В результате передняя поверхность пластинки оказывается заряженной положительно, задняя – отрицательно, и внутри пластинки появляется электрическое поле, причем такое, что электрическая сила $q \mathbf{E}$ компенсирует магнитную часть силы Лоренца $q[\mathbf{v B}]$, откуда $\mathbf{E}=-[\mathbf{v B}]$. Это поле связано с поверхностной плотностью заряда той же формулой $\sigma=\varepsilon_{0} v B$.
Оба подхода к решению данного вопроса одинаково законны.

Релятивистская природа магнетизма.
Из формул преобразования полей (8.1) и (8.2) вытекает весьма замечательный вывод: возникновение магнитного поля является чисто релятивистским эффектом, следствием наличия в природе предельной скорости $c$, равной скорости света в вакууме.

Если бы эта скорость была бесконечной (соответственно и скорость распространения взаимодействий), никакого магнетизма вообще не существовало бы. В самом деле, рассмотрим свободный электрический заряд. В системе отсчета $K$, где он покоится, существует только электрическое поле. А это значит согласно (8.1), что в любой другой $K^{\prime}$ системе отсчета, если бы $c \rightarrow \infty$, никакого магнитного поля $B^{\prime}$ не возникало бы. Оно возникает только из-за конечности $c$, т. е. в конечном счете вследствие релятивистского эффекта.

Релятивистская природа магнетизма является универсальным физическим фактом, и его происхождение обусловлено отсутствием магнитных зарядов.

В отличие от большинства релятивистских явлений магнетизм во многих случаях обнаруживается сравнительно легко, например магнитное поле проводника с током. Причина подобных благоприятных обстоятельств обусловлена тем, что магнитное поле может создаваться очень большим числом движущихся зарядов при условии почти полного исчезновения электрического поля из-за практически идеального баланса числа электронов и протонов в проводниках. В этих случаях магнитное взаимодействие оказывается преобладающим.

Почти полная компенсация электрических зарядов и позволила физикам изучить релятивистские эффекты (т. е. магнетизм) и открыть правильные законы. По этой причине после создания теории относительности законы электромагнетизма в отличие от законов Ньютона не пришлось уточнять.

Поле не движется, а изменяется.
Поскольку электрическое и магнитное поля появляются в разных соотношениях

при изменении системы отсчета, следует проявлять определенную осторожность в обращении с полями Е и В. Скажем, уже вопрос о силе, действующей на заряд со стороны движущегося магнитного поля, не имеет сколько-нибудь точного содержания. Сила определяется значениями величин Е и В в точке нахождения заряда. Если в результате движения источников полей Е и В их значения в этой точке будут меняться, изменится и сила, в противном случае движение источников на значении силы не отразится.

Таким образом, при решении вопроса о силе, действующей на заряд, необходимо знать $\mathbf{E}$ и В в точке нахождения заряда и его скорость $\mathbf{v}$, причем все эти величины должны быть взяты относительно интересующей нас инерциальной системы отсчета.

Если же когда и говорят о «движущемся» поле, то это нужно понимать просто как краткий и удобный способ словесного описания изменяющегося поля в определенных условиях и ничего более.

Насколько надо проявлять осторожность в обращении с полем при переходе из одной системы отсчета к другой, станет ясно хотя бы уже из такого простого примера.

Пример.
Заряженная частица покоится между полюсами магнита, неподвижного в К-системе отсчета. Перейдем в $K^{\prime}$-систему, которая движется вправо (рис. 8.2) с нерелятивистской скоростью $\mathbf{v}_{0}$ – относительно К-системы. 1. Можно ли утверждать, что в $K^{\prime}$-системе заряженная частица движется в магнитном поле? 2. Найти силу, действующую на эту частицу в $K^{\prime}$ системе.

1. Да, частица движется в магнитном поле. Но, заметим, в магнитном поле, а не относительно магнитного поля.
Имеет смысл говорить о движении частицы относительно системы отсчета, магнита и других тел, но только не относительно магнитного поля. Последнее просто не имеет физического смысла. Все это касается не только магнитного, но и электрического поля.

Рис. 8.2

2. Чтобы найти силу, надо учесть, что в $K^{\prime}$-системе появится и электрическое поле $\mathbf{E}^{\prime}=\left[\mathbf{v}_{0} \mathbf{B}\right]$, оно направлено на нас (рис. 8.2). В $K^{\prime}$-системе заряд будет двигаться влево со скоростью $-\mathbf{v}_{0}$, причем это движение будет происходить в скрещенных электрическом и магнитном полях. Пусть для определенности заряд частицы $q>0$, тогда сила Лоренца в $K^{\prime}$-системе
\[
\mathbf{F}^{\prime}=q \mathbf{E}^{\prime}+q\left[-\mathbf{v}_{0} \mathbf{B}\right]=q\left(\left[\mathbf{v}_{0} \mathbf{B}\right]-\left[\mathbf{v}_{0} \mathbf{B}\right]\right)=0 .
\]
что, впрочем, можно было и сразу сказать исходя из факта инвариантности силы при нерелятивистских преобразованиях из одной системы отсчета в другую.

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru