8. Электроны в неполярных системах
В последнее время был выполнен ряд экспериментальных исследований свойств избыточных электронов в простых одноатомпых плотных жидкостях. При этом было выяснено следующее:
а) При температурах ниже Х-точки в 
подвижность 
зависит от температуры как 
где 
К [341. Данный результат, несомненно, свидетельствует о том, что основной механизм диссипации состоит во взаимодействии электронов с ротонами [34].
б) Выше Х-точки в 
и выше 
механизм диссипации становится совершенно другим. Электронная подвижность при этом относительно мала (порядка 
-сек) и зависит от плотности и вязкости жидкости [34, 35а — в].
в) Недавно Снайдере, Райс и Мейер наблюдали высокие электронные подвижности в жидком аргоне 
при 90° К) и в жидком криптоне 
при 120° К) [361.
Из указанных экспериментальных результатов нельзя пока составить ясной картины взаимодействия избыточного электрона с жидкостью. Можно только сразу выделить возможность двух крайних случаев: квазисвободного электрона и локализованного электрона. Этот вопрос уже рассматривался в предыдущем разд. II-1. Мы продолжим здесь изложение основных черт формализма псевдопотенциала [37] в применении к исследованию взаимодействия электрон — гелий. Псевдопотенциал 
для взаимодействия электрон — гелий выбирается так, чтобы исключить условие ортогональности волновой функции избыточного электрона к занятой 
-орбитали гелия, а именно
где V — ССП-потенциал; 
нелокальный отталкивательный потенциал. Как теперь хорошо известно, выбор нсевдопотенциала не является единственным. Мы будем использовать форму Коэна и Хейне, а также Остина и др.:
где 
— гладкая псевдоволновая функция избыточного электрона; 
— волновая 
-функция оболочки гелия. Псевдопотенциал для электрон-гелиевого взаимодействия может быть записан в виде
где 
— потенциалы соответственно кулоновского, ядерного и обменного взаимодействий избыточного электрона
с оболочкой гелия. Непосредственный подсчет приводит к следующему результату:
Более подробное обсуждение псевдопотенциала см. в разд. II-2.
Основной результат будет здесь использован для изучения как свободного, так и локализованного состояний избыточного электрона в гелии.
