Рис. 9.11. (см. скан) Вольт-амперные характеристики гетероперехода: а - наблюдаемые токи в диодах с прямоугольной гетероструктурой. (В этих приборах ток не зависит от ширины активной области.)
характеристик, как показано на рис. 9.11, а. В этом случае 
определяется поверхностной рекомбинацией и пропорционален периметру перехода на поверхности полупроводника, а не площади перехода. Необходимо отметить, что если 
будет значительным, это приведет к уменьшению внутренней квантовой эффективности 
и эффективности инжекции 
Зачастую экспериментальные результаты хорошо описываются выражением вида
где а — константа, которая меняется от перехода к переходу и может зависеть от температуры. Обычно ее величина лежит в пределах 
Некоторые типичные характеристики показаны на рис.
9.11, б. При обратном смещении толщина обедненного слоя и собственная емкость могут быть рассчитаны тем же способом, что и в случае гомоперехода.
гетеропереходы ведут себя как омические резистивные элементы, а 
Гетеропереходы имеют вольт-амперную характеристику, подобную характеристике 
гомоперехода:
текущему через переход. Второй член 
представляет собой ток, возникающий при безызлучательной рекомбинации внутри обедненного слоя или на поверхности полупроводника. Действительно, для гетероструктуры 
доминирует в начальной части
