11.3. ИСТОЧНИКИ ДЛИННОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Все рассуждения в этой главе относятся к GaAlAs/GaAs лазерам что объясняется их широким распространением в первых системах оптической связи. Длина волны излучения этих лазеров изменяется от 0,8 до 0,9 мкм при изменении содержания в активном слое. Чтобы использовать область, наиболее выгодную по дисперсии и затуханию излучения в волокнах, необходимо перейти к более длинноволновому излучению, которое можно получить, работая с узкозонными полупроводниками (см, гл. 7). Такой системой может служить InGaAsP, выращенный методом жидкофазной эпитаксии на подложке из Низкий пороговый ток имеет также система GaAlAsSb, выращенная на длина волны излучения не превышает

Достоинством является то, что они не содержат Высокая химическая реактивность этого материала приводит к усложнению технологии изготовления, так как требуется тщательная изоляция от кислорода и паров воды. Хорошо согласованные решетки получаются при относительной концентрации компонентов в соответствующей Удается изготовить лазеры на двойной и зарощенной гетероструктуре для диапазонов и Ограничивающие слои делаются из а активный слой из четверного соединения, причем соотношение компонентов подбирается таким, чтобы обеспечить излучение на требуемой длине волны. Получена пороговая плотность тока при толщине активного слоя около

Остается проблемой зависимость порогового тока от температуры. Типичное значение параметра [см. (10.3.7)] лежит в диапазоне 50 ... 70 К. Таким образом, при увеличении температуры от 20 до 60 С величина удваивается. Есть надежда, что ситуация улучшится по мере совершенствования качества подложки. Во всех других отношениях лабораторные образцы таких лазеров превосходят лазеры на GaAs.