12.4.4. Фотодиоды для длинноволнового диапазона

В фотодиодах на непрямозонных полупроводниках, предназначенных для детектирования излучения вблизи пороговой длины волны, поглощение мало и требуются большие размеры

(кликните для просмотра скана)

дрейфовой области. Это относится, в частности, к кремниевым диодам для излучения в диапазоне 1,0 ... 1,1 мкм. При этом необходимо высокое напряжение смещения и слабое легирование материала. Имеются два спосоиа избежать необходимости использования обширного обедненного слоя: а) использовать тыльный контакт который отражает прошедшее через диод излучение назад в область дрейфа; б) использовать боковое освещение, чтобы излучение распространялось параллельно переходу. Каждое из этих решений сопряжено с технологическими трудностями.