Главная > Основы анализа поверхности и тонких пленок
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

11.6. Количественный анализ

Определение абсолютной концентрации элемента в матрице по выходу оже-электроиов затруднено влиянием матрицы на обратно рассеянные электроны и глубину выхода. Рассмотрим для простоты выход оже-электронов KLL, образуемых в тонком слое толщиной на глубине t образца:

(11.20)

где — число атомов сорта в единице объема; — сечение ионизации на глубине — выход флюоресценции; — глубина выхода; в — угол регистрации; Т — коэффициент пропускания анализатора; — телесный угол регистрации; — поток возбуждающих электронов на глубине Плотность возбуждающего потока удобно разделить на две компоненты:

где — поток первичных электронов на глубине — поток обратно рассеянных первичных электронов; — коэффициент обратного рассеяния (разд. 10.7).

Если используются внешние стандарты с известной концентрацией элемента в стандартном образце, концентрация в исследуемом образце может быть найдена по отношению оже-выходов:

В рамках этого подхода не требуется знание сечения ионизации флюоресцентного выхода, поскольку измеряются оже-выходы из того же атома. Кроме того, если по составу стандартный образец близок к исследуемому образцу, элементный состав может быть определен непосредственно по отношению выходов оже-электронов при условии, что измерения выполнены в идентичных экспериментальных условиях. Если стандартный образец по составу существенно отличается от исследуемого образца, должно быть учтено влияние матрицы на обратное рассеяние электронов и глубину выхода.

Элементые чувствительности определяются с использованием чистых образцов рассматриваемого элемента и применяются для идентификации его в многоэлементных матрицах. Параметры, которые включают неупругую длину среднего свободного пробега и сильно зависят от матрицы, необходимо корректировать.

Даже с поправками на глубину выхода и обратное рассеяние измеренный состав поверхности нельзя соотносить с внутриобъемным составом образца из-за последствий ионной бомбардировки, используемой при распылении для чистки образца и определения профиля по глубине (см. гл. 4).

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru