5.8. Нарастание эпитаксиальных слоев

Случай является хорошим примером роста эпитаксиальной пленки высокого качества. Эта комбинация материалов удовлетворяет самому важному условию эпитаксии, а именно хорошему соответствию постоянных решетки; в этом случае несовпадение составляет менее 0,2%. На рис. 5.19 сравниваются уменьшения поверхностных пиков подложки для эпитаксии на и для эпитаксии на . В последнем случае имеется небольшое несовпадение постоянных решетки. Заметим, что в обоих случаях происходит незамедлительный спад поверхностного пика из-за нарастания псевдоморфного слоя. Однако в случае рост псевдоморфной пленки прекращается уже через два монослоя. Это полностью согласуется с теорией эпитаксии, в которой рассматривается упругое напряжение в эпитаксиальной пленке, возникающее вследствие расхождения параметров, и последующее образование так называемых дислокаций несоответствия. Расчетная толщина пленки, начиная с которой появляются дислокации, для случая как раз составляет монослоя. В пленке с дислокациями атомы верхних слоев не сопрягаются с подложкой и поэтому не затеняют ее.

Рис. 5.19. Уменьшение интенсивности поверхностного пика подложки как функция толщины -покрытия (в монослоях), а — подложка — Ag (110); эпитаксия и анализ — при 140 К; пробный пучок — ионы с энергией 1,0 МэВ, налетающие вдоль ; б — подложка — ; эпитаксия и анализ — при 300 К; пробный пучок — попы с энергией 1,8 МэВ, налетающие вдоль оси . Сплошной линией представлеиы результаты расчета для псевдоморфного послойного роста с учетом тепловых колебаний .