Основы анализа поверхности и тонких пленок

Научная библиотека

Научная библиотека

Основы анализа поверхности и тонких пленок

Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок: Пер. с англ. — М.: Мир, 1989. — 344 с.

Монография, написанная известными американскими специалистами в области атомных столкновений в твердых телах, посвящена физическим основам и методам использования пучков ионов, электронов и рентгеновского излучения для анализа структуры и состава тонких пленок вещества. Эти методы играют важную роль в развитии современной атомной технологии, особенно в области микроэлектроники. Все вопросы изложены на высоком научном уровне.

Для специалистов, интересующихся проблемами анализа поверхности и тонких пленок, аспирантов и студентов.

Оглавление

Предисловие редактора перевода
Предисловие
Глава 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ, ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ, АТОМ БОРА
1.2. Единицы измерения физических величин
1.3. Корпускулярно-волновой дуализм и кристаллическая структура
1.4. Модель Бора
Задачи
Глава 2. АТОМНЫЕ СТОЛКНОВЕНИЯ И СПЕКТРОМЕТРИЯ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ
2.2. Кинематика упругих столкновений
2.3. Пример спектрометрии обратного рассеяния Резерфорда
2.4. Сечение рассеяния и прицельный параметр
2.5. Рассеяние в центральном поле
2.6. Сечение рассеяния в задаче двух тел
2.7. Отклонения от формулы Резерфорда при низких и высоких энергиях
2.8. Рассеяние ионов низких энергий (LEIS)
2.9. Спектрометрия атомов отдачи, вылетающих вперед
2.10. Переход от системы центра масс к лабораторной системе
Задачи
Глава 3. ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ЛЕГКИХ ИОНОВ И ПОЛУЧЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЙ ПО ГЛУБИНЕ С ПОМОЩЬЮ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ
3.2. Общая картина потерь энергии и единицы их измерения
3.3. Потери энергии легких ионов высоких энергий в твердых телах
3.4. Потери энергии в химических соединениях и правило Брэгга
3.5. Ширина спектра энергии в обратном рассеянии
3.6. Форма спектра обратного рассеяния
3.7. Получение распределений по глубине с помощью рассеяния Резерфорда
3.8. Разрешение по глубине и флуктуации потерь энергии
3.9. Анализ распределения водорода и дейтерия по глубине
3.10. Пробеги ионов Н и Не
3.11. Распыление и пределы чувствительности
3.12. Сводка соотношений рассеяния
Задачи
Глава 4. ПРОФИЛИ РАСПЫЛЕНИЯ И МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЯ ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ
4.2. Распыление ионной бомбардировкой: общие понятия
4.3. Ядерные потери энергии
4.4. Выход продуктов распыления
4.5. Масс-спектрометрия вторичных ионов (SIMS)
4.6. Масс-спектрометрия вторичных нейтральных частиц (SNMS)
4.7. Избирательное распыление элементов и анализ их распределения по глубине
4.8. Уширение внутренней границы раздела и ионное перемешивание
4.9. Статистическая модель атома Томаса — Ферми
Задачи
Глава 5. КАНАЛИРОВАНИЕ
5.2. Каналирование в монокристаллах
5.3. Определение месторасположения примесей в кристаллах
5.4. Распределение потока каналированных частиц
5.5. Поверхностное взаимодействие в двухатомной модели
5.6. Поверхностный пик
5.7. Затенение подложки Ag (111) эпитаксиальным Au
5.8. Нарастание эпитаксиальных слоев
5.9. Анализ тонких пленок
Задачи
Глава 6. ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ К ГЛУБИНЕ В ЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
6.2. Анализ энергии в электронной спектроскопии
6.3. Глубина выхода электронов и исследуемый объем вещества
6.4. Неупругие электрон-электронные столкновения
6.5. Сечение ударной электронной ионизации
6.6. Плазмоны
6.7. Средняя длина свободного пробега электронов
6.8. Влияние морфологии тонких пленок на уменьшение выхода электронов
6.9. Пробеги электронов в твердых телах
6.10. Спектроскопия электронных потерь энергии (EELS)
6.11. Тормозное излучение
Задачи
Глава 7. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ
7.2. Параметры дифракции
7.3. Тепловые колебания и фактор Дебая — Валлера
7.4. Дифракция электронов низких энергий (LEED)
7.5. Дифракция рентгеновских лучей при скользящем падении
7.6. Просвечивающая электронная микроскопия
Задачи
Глава 8. ПОГЛОЩЕНИЕ ФОТОНОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ И EXAFS
8.2. Уравнение Шредингера
8.3. Волновые функции
8.4. Квантовые числа, электронные конфигурации и обозначения
8.5. Вероятность переходов
8.6. Фотоэлектрический эффект в приближении прямоугольной ямы
8.7. Вероятность фотоэлектронных переходов для водородоподобного атома
8.8. Поглощение рентгеновского излучения
8.9. Растянутая тонкая структура рентгеновского поглощения (EXAFS)
8.10. Нестационарная теория возмущений
Задачи
Глава 9. РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ (XPS)
9.2. Экспериментальная техника
9.3. Кинетическая энергия фотоэлектронов
9.4. Энергетический спектр фотоэлектронов
9.5. Энергия связи и влияние конечных состояний
9.6. Сдвиги энергии связи; химические сдвиги
9.7. Количественный анализ
Задачи
Глава 10. ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ И ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОАНАЛИЗ
10.2. Обозначения в рентгеновской спектроскопии
10.3. Дипольные правила отбора
10.4. Электронный микроанализ
10.5. Скорости переходов при спонтанном излучении
10.6. Скорость перехода для излучения Ка в никеле
10.7. Электронный микроанализ: количественные результаты
10.8. Испускание рентгеновского излучения, возбуждаемого протонами и ионами гелия (PIXE)
10.9. Расчет вероятности излучательных переходов
10.10. Расчет отношения интенсивностей линий
Задачи
Глава 11. НЕИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ И ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ
11.2. Оже-переходы
11.3. Выход оже-электронов и флюоресценция
11.4. Ширина атомных уровней и времена жизни
11.5. Оже-электронная спектроскопия
11.6. Количественный анализ
11.7. Получение профилей концентрации с помощью оже-спектроскопии
Задачи
Глава 12. АКТИВАЦИОННЫЙ И МГНОВЕННОРАДИАЦИОННЫЙ ЯДЕРНЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА
12.2. Значения Q и кинетические энергии
12.3. Радиоактивный распад
12.4. Закон радиоактивного распада
12.5. Получение радионуклидов
12.6. Активационный анализ
12.7. Мгновеннорадиационный анализ
Задачи
ПРИЛОЖЕНИЕ 1.
ПРИЛОЖЕНИЕ 2.
ПРИЛОЖЕНИЕ 3.
ПРИЛОЖЕНИЕ 4.
ПРИЛОЖЕНИЕ 5. ЭНЕРГИИ СВЯЗИ ЭЛЕКТРОНОВ
ПРИЛОЖЕНИЕ 6А. ВОЛН РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ [3,4]
ПРИЛОЖЕНИЕ 6б. МАССОВЫЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОГЛОЩЕНИЯ И ПЛОТНОСТЬ [4—6]
ПРИЛОЖЕНИЕ 7. ЭНЕРГИИ KLL-ПЕРЕХОДОВ ОЖЕ-ЭЛЕКТРОНОВ [2]
ПРИЛОЖЕНИЕ 8. ТАБЛИЦА ЭЛЕМЕНТОВ [7]
ПРИЛОЖЕНИЕ 9.
ПРИЛОЖЕНИЕ 10. ФИЗИЧЕСКИЕ ПОСТОЯННЫЕ, ПОЛЕЗНЫЕ КОМБИНАЦИИ И СООТНОШЕНИЯ ЕДИНИЦ