Пред.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 299 300 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
11.7. Получение профилей концентрации с помощью оже-спектроскопииОже-электронная спектроскопия используется главным образом для определения состава тонких пленок и слоистых структур в виде функции от глубины. Общеупотребительная схема установки, показанная на рис. 11.8, состоит из электронной пушки, регистрирующей системы на ЦЗА, а также пушкн для ионного распыления. Оже-сигнал формируется в приповерхностной области образца На рис. 11.14 показаны результаты, полученные измерениями RBS и AES для образца, приготовленного осаждением слоя никеля толщиной 1000 А на
Рис. 11.14. Сравнение спектров обратного рассеяния KRBS ионов раздела (на рисунке не показано), что нельзя сделать с помощью обратного резерфордовского рассеяния. Одним из преимуществ оже-электронной спектроскопии является ее чувствительность к примесям с малой массой атома, таким как углерод или кислород, которые обычно загрязняют поверхности и границы раздела. Наличие этих загрязнений границы раздела играет разрушающую роль в реакциях в тонких пленках, замедляя взаимную диффузию. Деградация плоскостности тоикопленочных структур вследствие тепловой обработки часто связана непосредственно с этими загрязнениями. Наличие естественного окисла с толщиной около 15 А сразу же проявляется в глубинном профиле AES, показанном на рис. 11.15. Удаление этого естественного
Рис. 11.15. Изменение выхода оже-электронов с глубиной при распылении образца, содержащего область границы раздела пленки слоя кислорода является решающим условием формирования тонкого однородного слоя окисла поверх слоев силицида таллия во время термического окисления. Наличие слоя естественного окисла замедляет высвобождение атомов Многослойные пленки используются в интегральных схемах и оптических структурах, а также во многих областях физики твердого тела. Естественным приложением оже-электронной спектроскопии с послойным распылением является анализ таких структур. На рис. 11.16 показаны оже-спектры послойного распыления тонкопленочной многослойной структуры В настоящее время современные научные лаборатории оснащаются целым набором установок для исследования изменения состава образцов с глубиной. Еслн встречается образец, состоящий из ряда слоев или тонких пленок и содержащий неизвестные примеси или загрязнения, то производящий анализ ученый использует весь набор методик, находящихся в его распоряжении. Оже-анализ с послойным распылением часто является отправной точкой первоначальных исследований.
Рис. 11.16. Распределение по глубине спектров AES при распылении многослойной тонкопленочной структуры
|
1 |
Оглавление
|