8.7. Вероятность фотоэлектронных переходов для водородоподобного атома
В этом разделе мы опишем расчет поперечного сечения фотоэлектрического эффекта с помощью водородоподобных волновых функций в трехмерном пространстве. Вероятность перехода рассчитывается по формуле (8.24). Подходящими волновыми функциями для начального и конечного состояний являются функции
и
где начальное состояние описывается волновой функцией водородоподобного атома в основном состоянии с атомным номером Z, а конечное состояние представляет собой обычную уходящую плоскую волну с конечной энергией
нормированную на объем V. Энергия связи электрона
выражается как
[см. уравнение (1.17)]. При вычислениях делалось предположение, что энергия налетающего фотона
. Плотность состояний для трехмерного пространства бралась в виде
Для потенциала возмущения
вероятность перехода может быть вычислена аналитически. Окончательный результат для поперечного сечения фотоэффекта
имеет вид
во многом сходный с расчетом для прямоугольной одномерной ямы, выполненным в предыдущем разделе.
Используя более совершенное описание для возмущающего потенциала и те же самые волновые функции при допущении
, Шифф [5] получил следующее выражение:
Учитывая, что
можно для удобства написать
где энергию налетающего фотона в электронвольтах мы приравняли энергии вылетающего электрона, так как
(т.е.
).
Например, сечение фотоэффекта для излучения
, см. приложение 6А, падающего на К-оболочку
, см. приложение 5, имеет величину
Для расчета полного сечения необходимо рассмотреть все электроны на всех оболочках атома.
Поперечное сечение для ударной ионизации электронами при
приведено в гл. 6 [выражение (6.11)] в виде
, где Е — энергия налетающего электрона. В тех же условиях при
и
сечение ионизации электронным ударом
имеет величину
которая в 2 раза превышает сечение фотоэффекта.
Сечение ионизации электронным ударом имеет обратнопропорциональную зависимость от энергии налетающей частицы, тогда как сечение фотоэффекта зависит от энергии налетающего фотона более сильно,
в случае
. Таким образом, в большинстве случаев величина
значительно превышает сечение фотоэффекта. Главным преимуществом использования электронов в качестве метода создания вакансий на внутренних оболочках состоит не в возрастании поперечного сечения, а в том, что электронные пучки могут быть получены с интенсивностью, на несколько порядков превышающей интенсивность рентгеновского излучения, достижимую в лабораторных системах. Электронный пучок можно также сфокусировать и использовать для сканирования при исследовании субмикронных областей.