6.1.2. Влияние тонкого и сверхтонкого взаимодействия на испускаемое излучение
Теперь рассмотрим случай, когда электроны возбуждают атомные уровни с орбитальным угловым моментом 
и спином 
причем рассеянные электроны и испущенные фотоны регистрируются на совпадение. Будем считать, что предположения, обсуждавшиеся в разд. 3.5 и 4.7.2, выполнены.
Непосредственно после возбуждения состояние рассматриваемого подансамбля атомов описывается мультиполямп состояния (4.6.1). Затем они возмущаются за счет тонкого (и, возможно, сверхтонкого) взаимодействия, которое в свою очередь оказывает влияние на излучение.
Если наблюдаются только проинтегрированные по времени величины (с верхним пределом интегрирования 
то элементы матрицы плотности испущенной радиации определяются выражением (5.5.4), в котором мультиполи состояния определяются формулой (4.6.1). Вспоминая, что для бесспиновых атомов 
параметры Стокса для рассматриваемого случая можно получить, заменив 
в выражениях (6.1.1) на 
Так, например,
угловое распределение принимает вид 
Чтобы найти выражения для параметров 
следует умножить (6.1.16) и (6.1.1в) на общий множитель 
получается умножением 
на 
В этих выражениях потеря ориентации и выстроенности, вызванная взаимодействием с ненаблюдаемой системой спинов, описывается множителями 
Поскольку 
при 
выражение (6.1.7) показывает, что угловое распределение становится более изотропным, чем в бесспиновом случае (угловое распределение «размазывается» из-за наличия спин-орбитальной связи). Значения других параметров Стокса уменьшаются по сравнению с бесспиновым случаем пропорционально 
соответственно, что приводит к деполяризации испущенного излучения.
Коэффициенты возмущения 
к определяются выражением (5.5.3), если расщепление тонкой структуры 
сравнимо с шириной линий, выражением (5.5.8), если расщепленные уровни не перекрываются 
и выражением (5.5.6), если 
. В последнем случае тонкое взаимодействие не влияет на испускаемый свет.
Эффект взаимодействия, обусловливающего сверхтонкую структуру, можно рассмотреть способом, который описан в общих чертах в разд. 5.5.2.
