Пред.
След.
Макеты страниц
Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO
2. СВОЙСТВА РЕШЕТОК ИЗПРЯМОУГОЛЬНЫХ ВОЛНОВОДОВПереход от одномерных антенных решеток к двумерным из прямоугольных волноводов приводит не только к усложнению задачи (она становится векторной и двумерной), но и к появлению новых свойств решеток. В частности, наблюдаются резонансы, обусловленные поверхностными волнами (полное отражение или равенство нулю коэффициента передачи), как при наличии диэлектрического покрытия или диэлектрических вставок, так и в их отсутствие. Влияние диэлектрического покрытия и диэлектрических вставок детально рассмотрено в гл. 6 и 7. Эти резонансы отличаются от резонансных эффектов на кривой коэффициента отражения (рис. 5.13). Последние эффекты проявляются в резком возрастании коэффициента отражения, который, однако, остается меньшим единицы. Максимальное значение коэффициента отражения достигается всегда при скользящем положении луча, а резонансный пик получается очень острым (производная от модуля коэффициента отражения в точке резонанса претерпевает разрыв). Резонансы, обусловленные поверхностными волнами, всегда характеризуются полным отражением и равенством нулю коэффициента передачи. Несмотря на то что резонансные пики модуля коэффициента отражения, обусловленные поверхностными волнами, часто также бывают довольно острыми и иногда наблюдаются при углах сканирования, очень близких к скользящим (см. результаты, относящиеся к решеткам из круглых волноводов, в гл. 7), они обычно имеют гладкий характер (непрерывная первая производная) и возникают при положении луча, близком к излучению по нормали. Таким образом, поверхностные волны могут вызывать «ослепление» ФАР при сканировании, и необходимо позаботиться об устранении этого неприятного явления. Кроме того, изучение поверхностных волн в ФАР представляет значительный теоретический интерес. 2.1. Решетка из прямоугольных волноводов, расположенных в узлах прямоугольной сеткиОдно из первых наблюдений поверхностных волн в фазированной решетке без диэлектрического покрытия проводилось при экспериментировании с макетом антенной решетки, показанным на рис. 5.6 118]. Эта решетка была образована из квадратных волноводов, расположенных в узлах квадратной сетки, подобно антенне, показанной на рис. 5.1, но отличалась от последней тем, что стенки волноводов для обеих плоскостей сканирования имели конечную толщину (рис. 5.17). Расстояния между элементами в решетке превышали половину длины волны, обеспечивая тем самым распространение волны типа
Рис. 5.17, Решетка из прямоугольных волноводов, расположенных в узлах прямоугольной сетки. Из-за большого расстояния между элементами возникает дополнительный главный лепесток при угле отклонения главного лепестка, равном Из рис. 5.18 видно, что диаграммы направленности имеют глубокий провал (пик на кривой коэффициента отражения) при угле сканирования, более близком к нормали, чем угол, соответствующий возникновению дифракционного луча. Следовательно, этот провал не обусловлен резонансным явлением, рассмотренным в предыдущем разделе. Так как размеры антенной решетки конечны, провал не достигает пуля. Теоретические данные для соответствующей бесконечной решетки из волноводов показывают, что провал достигает нуля при тех же углах сканирования; отсюда можно заключить, что этот провал обусловлен возбуждением поверхностной волны. (кликните для просмотра скана) В работе [20] методом моментов получено решение векторного двумерного интегрального уравнения для рассматриваемой волноводной решетки (см. гл. 2 и 3). При этом использовался базис функций, соответствующих типам волн в волноводе. Учитывалось 17 высших типов волп, что привело к матричному уравнению размерностью
Рис. 5.20. Влияние диэлектрического заполнения волноводов на диаграмму направленности в Угол, соответствующий нулю излучения, меньше угла, при котором возникает дифракционный луч. Эти результаты подтверждают предположения, основанные на экспериментальных данных, о возможности возникновения поверхностных волн в антенных решетках без диэлектрических покрытий и вставок Метод интегрального уравнения позволяет проанализировать влияние диэлектрического материала в раскрывах волповодов. Подробный анализ содержится в гл. 6 и 7. В данной главе приведены отдельные результаты этого анализа, чтобы показать (кликните для просмотра скана) влияние диэлектрических покрытий и вставок на резонансные явления в антенных решетках. Не следует ожидать, что присутствие диэлектрических материалов в раскрыве антенной решетки обязательно должно приводить к исчезновению резонансов, обусловленных поверхностными волнами. Рис. 5.23. (см. скан) Сравнение решений, полученных при учете только основного типа волны Действительно, как видно из рис. 5.20 и 5.21, увеличение относительной диэлектрической проницаемости выбиралисъ таким образом, чтобы увеличение диэлектрической проницаемости не приводило к многомодовому режиму в волноводах. Рис. 5.24. (см. скан) Часть рис. 5.23 в увеличенном масштабе. Из сравнения результатов решения интегрального уравнения, полученных при учете только одного низшего типа волны Следует, однако, отметить, что аппроксимация неизвестного поля одним типом волны не всегда является плохой, что показали Фарелл и использование кусочно-постоянного базиса (30 равномерно распределенных импульсов, [4]) приводит к хорошо совпадающим результатам как при учете одного типа волны, так и при учете многих типов волн. В случае сканирующей в
Рис. 5.25. Сглаживание розонансной кривой Решение, полученное при учете только основного типа волны, предсказывает провал в диаграмме направленности элемента под углом появления дифракционного луча. Решение, полученное при аппроксимации неизвестной функции суммой волноводных типов волп, предсказывает провал до пуля при угле сканирования, более близком к нормали, что подтверждается и результатами работы [20]. На рис. 5.24 эти зависимости показаны в более крупном масштабе. Обращаясь к зависимости модуля коэффициента отражения от переменной
|
1 |
Оглавление
|