6.2. Антенная решетка с диэлектрическим покрытием, сканирующая в Е-плоскости

При сканировании в -плоскости решетка из параллельных пластин возбуждается волной типа электрическое поле которой поляризовано нормально к поверхности пластин. На рис. 6.15 и рис. 6.16 показано поведение модулей и фаз коэффициентов отражения при сканировании в -плоскости. При пространственная гармоника типа поверхностной волны присутствует в широком интервале углов сканирования. Относительно толстые стенки волноводов использованы для того, чтобы в волноводах поддерживалась только основная волна тина а расстояние между элементами превышало

Из приведенных данных видно, что в отсутствие диэлектрического покрытия зависимости коэффициента отражения от угла сканирования являются относительно плоскими в широком интервале углов, за исключением окрестностей точки возникновения дифракционного луча (при Такие характеристики резко отличаются от характеристик для случая сканирования в -плоскости (рис. 6.12). Этот пик, однако, достигает значения 1. При толщине диэлектрического покрытия наблюдается увеличение уровня отражения почти во всем интервале углов сканирования. В частности, пик, наблюдаемый в окрестности точки возникновения дифракционного луча, достигает 1.

Из не приведенных здесь результатов для более тонких покрытий следуют те же особенности, за исключением того, что модуль коэффициента отражения в выбросе необязательно равен 1. Угловое положение резонансного пика в случае тонких покрытий сохраняется постоянным. Однако если толщина покрытия превышает критическое значение то пик начинает смещаться в направлении нормали. Смещение пика к нормали сопровождается его сужением. При дальнейшем увеличении толщины диэлектрического покрытия возникает несколько резонансных пиков.

Исследования случая сканирования в квази-Е-плоскости приводят к аналогичным результатам, в частности, резонансные пики появляются только в том случае, если толщина диэлектрического покрытия превышает некоторое критическое значение.