15.2.3. СПОСОБЫ ЗАДАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ

Один из способов задания напряжения смещения иллюстрируется на рис. 15.8. Падение напряжения на диодах составляет примерно При этом напряжении через транзисторы и течет небольшой ток покоя. Для повышения входного сопротивления схемы диоды можно заменить эмиттерными повторителями (рис. 15.9).

Схема, с помощью которой можно в широких пределах изменять напряжение смещения и его температурный коэффициент, изображена на рис. 15.10. Транзистор охвачен отрицательной обратной связью, реализованной с помощью делителя напряжения Напряжение

Рис. 15.8. Задание начального смещения с помошью диодов.

Рис. 15.9. Задание начального смещения с помощью транзисторов.

Рис. 15.10. Задание начального смещения с регулируемым температурным коэффициентом.

коллектор-эмиттер при пренебрежимо малом токе базы устанавливается равным

Для получения требуемого температурного коэффициента в качестве применяют терморезистор с отрицательным температурным коэффициентом, который помещают на радиаторе транзистора. С помощью таких мер можно добиться практической независимости тока покоя от температуры даже при температуре корпуса выходного транзистора ниже температуры его перехода.

В описанных схемах задания напряжения смещения с помощью диодов базовый ток выходных транзисторов, обусловленный наличием входного напряжения, отсутствует. Ток базы выходных транзисторов должен быть задан с помощью источника постоянного тока. Величина постоянного тока должна быть больше максимального базового тока транзисторов чтобы диоды (и соответственно транзисторы при максимальном входном сигнале не запирались. По этой причине не следует заменять источники постоянного тока резисторами, поскольку ток в этом случае будет убывать при возрастании входного сигнала.

Наиболее предпочтительной является схема, в которой ток при возрастании входного сигнала увеличивается. Такая схема изображена на рис. 15.11.

Рис. 15.11. Задание начального смещения с помощью полевых транзисторов.

Полевые транзисторы и включены в ней по схеме истоковых повторителей. Разность истоковых напряжений полевых транзисторов благодаря отрицательной обратной связи по току устанавливается равной около 1,4 В. Для рассмотренной схемы подходят полевые транзисторы, ток стока которых при составляет несколько миллиампер.