9.4.2. ДИОДНО-ТРАНЗИСТОРНАЯ ЛОГИКА (ДТЛ)

В схеме ДТЛ, представленной на рис. 9.8, базовый ток выходного транзистора проходит через резистор только в том случае, если заперты оба входных диода т.е. если все входные напряжения имеют высокий уровень.

Рис. 9.8. Элемент И-НЕ типа ДТЛ.

В этом случае транзистор Т открыт и выходное напряжение находится на низком уровне. Следовательно, по позитивной логике реализуется функция И-НЕ.

Ток, протекающий по резистору вызывает на двойном диоде падение напряжения около 1,2 В. Вместе с напряжением на базе открытого транзистора это составит Если входное напряжение не превышает 1,2 В,

соответствующий диод открывается, а потенциал снижается. При этом закрывается диод а вместе с ним и транзистор Следовательно, наибольшее напряжение, при котором транзистор надежно заперт, составляет около 1 В. Это значение определяет максимальную величину уровня логического нуля Так как низкий уровень выходного напряжения схемы составляет около 0,1 В, то запас помехоустойчивости для логического нуля получается равным 0,9 В.

Если к выходу этой схемы подключаются такие же элементы то при высоком уровне выходного напряжения выход не будет нагружен. Поэтому высокий уровень выходного напряжения всегда равен значению напряжения питания Минимальный уровень логической единицы составляет около 2 В, поэтому запас помехоустойчивости для логической единицы получается равным Следовательно, напряжение питания должно составлять минимум 3 В. Как правило, выбирается

Для использования в приборах с высоким уровнем наводимых импульсных помех имеются модифицированные схемы ДТЛ, в которых двойной диод заменен стабилитроном. Благодаря этому максимальное значение уровня логического нуля повышается до 7 В, тогда запас помехоустойчивости для логического нуля превышает 6 В. При минимальном уровне логической единицы 8 В и напряжении питания 12 В запас помехоустойчивости для логической единицы составит 4 В. Этот тип логических схем называется высокопороговой логикой.