Главная > Полупроводниковая схемотехника
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

4.8. ИЗМЕРЕНИЕ НЕКОТОРЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ МАЛОМ СИГНАЛЕ

Параметры транзистора при малом сигнале в принципе можно определить по их вольт-амперным характеристикам. Однако в ряде случаев использование характеристик не обеспечивает требуемой точности или является затруднительным. Поэтому приведем некоторые схемы, при помощи которых можно непосредственно измерить важнейшие параметры транзистора с помощью переменных напряжений. На рис. 4.37 приведена схема для измерения коэффициента усиления по току при малых сигналах, входного сопротивления а также крутизны

Требуемое значение коллекторного тока при отсутствии сигнала устанавливается

Рис. 4.37. Схема для измерения усиления по току, крутизны и входного сопротивления

с помощью резистора обеспечивающего рассмотренную в разд. 4.2.5 отрицательную обратную связь по току, тогда как эмиттер подключен к общей точке по переменному току через конденсатор . В связи с этим Используя измеренные значения переменных составляющих токов получим

Установив рабочую точку, при найдем

С целью вариации напряжения коллектор-эмиттер можно включить источник переменного напряжения и источник постоянного напряжения последовательно. Однако проще всего использовать источник пульсирующего напряжения, содержащего переменную и постоянную составляющие (рис. 4.38).

Рис. 4.38. Схема для измерения выходного сопротивления и обратной крутизны.

Путем измерения переменной составляющей тока базы можно определить обратную крутизну:

При этом необходимо, чтобы наноампер-метр в базовой цепи был достаточно низ-коомным; тогда условие не нарушается.

Categories

1
Оглавление
email@scask.ru