Главная > Полупроводниковая схемотехника
НАПИШУ ВСЁ ЧТО ЗАДАЛИ
СЕКРЕТНЫЙ БОТ В ТЕЛЕГЕ
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Пред.
След.
Макеты страниц

Распознанный текст, спецсимволы и формулы могут содержать ошибки, поэтому с корректным вариантом рекомендуем ознакомиться на отсканированных изображениях учебника выше

Также, советуем воспользоваться поиском по сайту, мы уверены, что вы сможете найти больше информации по нужной Вам тематике

ДЛЯ СТУДЕНТОВ И ШКОЛЬНИКОВ ЕСТЬ
ZADANIA.TO

9.4.4. ИНТЕГРАЛЬНАЯ ИНЖЕКЦИОННАЯ ЛОГИКА

Интегральная инжекционная логика является новым направлением, которому принадлежит большая роль в процессе миниатюризации цифровых приборов. Малая площадь, занимаемая одним элементом, и незначительное потребление им энергии позволяют объединить множество таких элементов в схему с высокой степенью интеграции. В качестве основного базового элемента используется элемент изображенный на рис. 9.12. Он очень похож на элемент ДТЛ, представленный на рис. 9.8. Здесь базовый ток выходного транзистора протекает не через резистор, а через p-n-р-транзистор, который работает в режиме источника постоянного тока. Такая комбинация p-n-р- и n-p-n-транзисторов, реализуемая с помощью

Рис. 9.12. Элемент И-НЕ типа

специального технологического процесса, занимает на кристалле очень малую площадь.

Инжектируемый ток может изменяться в широких пределах применительно к различным потребностям.

Рис. 9.13. Зависимость между временем задержки и инжектируемым током.

Чем больше его величина, тем меньше время задержки распространения сигнала. На рис. 9.13 приведен график зависимости между временем задержки и инжектируемым током, соответствующей сегодняшнему уровню развития техники [9.1].

1
Оглавление
email@scask.ru