Главная > Газовые лазеры
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

10.2.3. Образование KrF* в разряде

В случае KrF при накачке как разрядом, так и электронным пучком газовые смеси являются аналогичными. Чтобы накачка разрядом была эффективной, процесс образования должен идти по метастабильному каналу. На рис 5 схематически показана кинетика образования KrF.

В случае накачки разрядом газ ионизуется под действием электронного пучка или УФ излучения, причем образуются главным образом ионы инертного газа:

Игоричные электроны во внешнем электрическом поле приобретают достаточную энергию для возбуждения метастабильных уровней атомов инертного газа:

Медленные вторичные электроны быстро исчезают вследствие прилипания к донорным галогенсодержащим молекулам. При этом образуются отрицательные ионы галогена, приводящие к стабилизации разряда:

В гарпунной реакции метастабильного атома с вероятностью около 0,6 образуется ArF [20, 66]. Константа скорости этой реакции, измеренная Веласко, Кольтсом Сетсером, оказалась равной Как мы покажи выше, ArF может излучить либо может произойти замена Аг

Рис. 5 Основные каналы образования KrF при накачке разрядом

на Кг с образованием KrF. Метастабильный атом криптона может образовывать KrF непосредственно, а также в гарпунной реакции с F2, протекающей с вероятностью, равной единице [108]. Эффективность образования KrF будет больше, если основная часть энергии разряда будет вкладываться в Кг, поскольку для возбуждения требуется более низкая энергия, а вероятность образования KrF равна единице. Из рис. 6 видно, что доля энергии разряда, которая идет на возбуждение , зависит от относительного содержания и величины приложенного электрического поля.

Рис. 6. Доля энергии разряда, вкладываемая в как функция относительной концентрации атомов Кг в смесях Сплошные кривые получены при значении приведенного электрического поля , а штриховые — при атм).

Рис. 7. Эффективность образования KrF как функция относительной концентрации атомов Кг. Сплошная кривая получена при значении приведенного электрического поля , а штриховая кривая — при .

Очевидно, что, чем больше плотность , тем выше эффективность образования KrF. Однако, как мы покажем ниже, атомы Кг приводят к быстрому тушению , следовательно, плотность атомов Кг должна поддерживаться не очень большой. Из рис. 7 видно, что в случае -ного содержания Кг эффективность образования KrF при накачке разрядом в стабильных и контролируемых условиях может достигать 30— 35%.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление