10.2.3. Образование KrF* в разряде
 
В случае KrF при накачке как разрядом, так и электронным пучком газовые смеси являются аналогичными. Чтобы накачка разрядом была эффективной, процесс образования должен идти по метастабильному каналу. На рис 5 схематически показана кинетика образования KrF. 
В случае накачки разрядом газ ионизуется под действием электронного пучка или УФ излучения, причем образуются главным образом ионы инертного газа: 
 
 
Игоричные электроны  во внешнем электрическом поле приобретают достаточную энергию для возбуждения метастабильных уровней атомов инертного газа:
 во внешнем электрическом поле приобретают достаточную энергию для возбуждения метастабильных уровней атомов инертного газа: 
 
Медленные вторичные электроны быстро исчезают вследствие прилипания к донорным галогенсодержащим молекулам. При этом образуются отрицательные ионы галогена, приводящие к стабилизации разряда: 
 
В гарпунной реакции метастабильного атома  с вероятностью около 0,6 образуется ArF [20, 66]. Константа скорости этой реакции, измеренная Веласко, Кольтсом
 с вероятностью около 0,6 образуется ArF [20, 66]. Константа скорости этой реакции, измеренная Веласко, Кольтсом  Сетсером, оказалась равной
 Сетсером, оказалась равной  Как мы покажи выше, ArF может излучить либо может произойти замена Аг
 Как мы покажи выше, ArF может излучить либо может произойти замена Аг
 
Рис. 5 Основные каналы образования KrF при накачке разрядом 
 
на Кг с образованием KrF. Метастабильный атом криптона может образовывать KrF непосредственно, а также в гарпунной реакции с F2, протекающей с вероятностью, равной единице [108]. Эффективность образования KrF будет больше, если основная часть энергии разряда будет вкладываться в Кг, поскольку для возбуждения  требуется более низкая энергия, а вероятность образования KrF равна единице. Из рис. 6 видно, что доля энергии разряда, которая идет на возбуждение
 требуется более низкая энергия, а вероятность образования KrF равна единице. Из рис. 6 видно, что доля энергии разряда, которая идет на возбуждение  , зависит от относительного содержания
, зависит от относительного содержания  и величины приложенного электрического поля.
 и величины приложенного электрического поля. 
 
Рис. 6. Доля энергии разряда, вкладываемая в  как функция относительной концентрации атомов Кг в смесях
 как функция относительной концентрации атомов Кг в смесях  Сплошные кривые получены при значении приведенного электрического поля
 Сплошные кривые получены при значении приведенного электрического поля  , а штриховые — при
, а штриховые — при  атм).
 атм). 
 
Рис. 7. Эффективность образования KrF как функция относительной концентрации атомов Кг. Сплошная кривая получена при значении приведенного электрического поля  , а штриховая кривая — при
, а штриховая кривая — при  .
. 
Очевидно, что, чем больше плотность  , тем выше эффективность образования KrF. Однако, как мы покажем ниже, атомы Кг приводят к быстрому тушению
, тем выше эффективность образования KrF. Однако, как мы покажем ниже, атомы Кг приводят к быстрому тушению  , следовательно, плотность атомов Кг должна поддерживаться не очень большой. Из рис. 7 видно, что в случае
, следовательно, плотность атомов Кг должна поддерживаться не очень большой. Из рис. 7 видно, что в случае  -ного содержания Кг эффективность образования KrF при накачке разрядом в стабильных и контролируемых условиях может достигать 30— 35%.
-ного содержания Кг эффективность образования KrF при накачке разрядом в стабильных и контролируемых условиях может достигать 30— 35%.