2.2.2. Образование возбужденных состояний при ион-ионной рекомбинации

В эксимерных лазерах на галогенидах (Hd) инертных газов (R) процесс трехчастичной ион-ионной рекомбинации

обеспечивает важный и зачастую определяющий вклад в процесс заселения верхнего лазерного уровня или образование его предшественников.

Рассмотрению реакций такого типа посвящена гл. 5 настоящей книги. Чтобы реакция (6) обеспечивала образование молекул необходимо создать соответствующую концентрацию отрицательных ионов галогена Hd-. В этом случае донор атомов галогена играет двойную роль: помимо того что он обеспечивает увеличение средней энергии электронов благодаря эффекту прилипания, рассмотренному в предыдущем разделе, он также приводит к образованию фрагментарных отрицательных ионов и влияет тем самым непосредственно на кинетику образования верхнего лазерного уровня. Очевидно, что для эффективного выполнения этих двух ролей необходимо, чтобы в процессе прилипания электрона к молекуле (донору атома галогена) образовывались бы главным образом атомарные ионы. Это объясняет, по крайней мере частично, почему для лазерных систем на фторидах инертных газов в качестве донорных молекул более предпочтительны, например, чем Отсюда следует, что для моделирования работы лазеров необходимо знать как парциальные сечения или константы скорости образования Hd- , так и полные сечения или константы скорости прилипания, необходимые для расчета скорости исчезновения электронов.